| 中文摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 前言 | 第14-26页 |
| 1.1 高压物理研究发展史 | 第14-15页 |
| 1.2 静态高压实验技术和装置 | 第15-18页 |
| 1.2.1 金刚石对顶砧(DAC)装置 | 第15-16页 |
| 1.2.2 压力的标定 | 第16-17页 |
| 1.2.3 金刚石压砧实验技术的应用 | 第17-18页 |
| 1.3 原位高压电输运性质研究 | 第18-23页 |
| 1.3.1 原位高压电输运性质研究的发展 | 第18-20页 |
| 1.3.2 原位高压电输运性质研究的意义 | 第20-23页 |
| 1.4 本论文的选题目的和意义 | 第23-24页 |
| 1.5 论文各部分的主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 原位高压电输运与结构性质测量方法 | 第26-38页 |
| 2.1 原位高压直流电阻率、Hall 效应测量 | 第26-29页 |
| 2.1.1 Van der Pauw 法测量直流电阻率 | 第26页 |
| 2.1.2 高压 Hall 效应测量方法 | 第26-29页 |
| 2.2 金刚石对顶砧上薄膜微电路的集成 | 第29-32页 |
| 2.3 高压同步辐射角色散 X 射线衍射实验技术 | 第32-34页 |
| 2.3.1 同步辐射 X 射线衍射实验原理 | 第32-33页 |
| 2.3.2 原位高压 XRD 衍射测量 | 第33-34页 |
| 2.4 高压拉曼(Raman)光谱实验技术 | 第34-38页 |
| 2.4.1 拉曼光谱的产生机制 | 第34-35页 |
| 2.4.2 原位高压拉曼光谱测量 | 第35-38页 |
| 第三章 高压下 SnS 和 SnTe 的电输运性质研究 | 第38-62页 |
| 3.1 SnX (X=S, Se, Te)的研究概况 | 第38-39页 |
| 3.2 SnS 的高压电输运性质研究 | 第39-51页 |
| 3.2.1 SnS 的概况及高压研究背景 | 第39-42页 |
| 3.2.2 SnS 的原位高压变温电阻率测量 | 第42-44页 |
| 3.2.3 SnS 的原位高压 Hall 效应测量 | 第44-46页 |
| 3.2.4 SnS 的高压第一性原理计算 | 第46-51页 |
| 3.3 SnTe 的高压电输运性质研究 | 第51-59页 |
| 3.3.1 SnTe 的概况及高压研究背景 | 第51-54页 |
| 3.3.2 SnTe 的高压同步辐射 X 射线衍射研究 | 第54-58页 |
| 3.3.3 SnTe 的高压电输运性质研究 | 第58-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-62页 |
| 第四章 高压下 In_2Se_3的结构和电输运性质研究 | 第62-84页 |
| 4.1 In_2Se_3的概况及高压研究背景 | 第62-66页 |
| 4.2 In_2Se_3的高压结构和电输运性质研究 | 第66-82页 |
| 4.2.1 In_2Se_3的高压 XRD 研究 | 第66-71页 |
| 4.2.2 In_2Se_3的高压 Raman 研究 | 第71-74页 |
| 4.2.3 In_2Se_3的第一性原理计算 | 第74-78页 |
| 4.2.4 In_2Se_3的高压电输运性质研究 | 第78-82页 |
| 4.3 本章小结 | 第82-84页 |
| 第五章 高压下 Alq3的结构性质研究 | 第84-94页 |
| 5.1 Alq_3的概况及高压研究背景 | 第84-87页 |
| 5.2 Alq_3的高压同步辐射 X 射线衍射研究 | 第87-89页 |
| 5.3 Alq_3的高压 Raman 研究 | 第89-92页 |
| 5.4 Alq_3的 TEM 研究 | 第92页 |
| 5.5 本章小结 | 第92-94页 |
| 第六章 总结与展望 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-110页 |
| 作者简介及科研成果 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112页 |
