| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体纳米团簇研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.1 半导体纳米团簇的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 半导体纳米团簇的主要应用 | 第10页 |
| 1.3 胶体半导体量子点研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3.1 胶体半导体量子点的制备 | 第11-12页 |
| 1.3.2 胶体半导体量子点的应用前景 | 第12-13页 |
| 1.4 课题的主要内容与研究意义 | 第13-14页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第14-22页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第14-17页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第14-15页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第15-16页 |
| 2.1.3 局域密度近似 | 第16-17页 |
| 2.1.4 广义梯度近似 | 第17页 |
| 2.2 第一性原理计算 | 第17-20页 |
| 2.2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第18页 |
| 2.2.2 Hatree-Fock单电子近似 | 第18-20页 |
| 2.3 赝势 | 第20页 |
| 2.4 DMOL~3模块简介 | 第20-21页 |
| 2.5 计算方法 | 第21-22页 |
| 第三章 (CdTe)_(16×N) (N=1-3)纳米链团簇的结构与电学性质 | 第22-32页 |
| 3.1 引言 | 第22页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第22-29页 |
| 3.2.1 (CdTe)_(16×N)(N=1-3)纳米链团簇的结构 | 第22-25页 |
| 3.2.2 (CdTe)_(16×N)(N-1-3)纳米链团簇的电学性质 | 第25-29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-32页 |
| 第四章 Ag掺杂(CdTe)_(16×N)(N=1-2)纳米团簇链的结构与电学性质 | 第32-48页 |
| 4.1 引言 | 第32-33页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第33-45页 |
| 4.2.1 Ag掺杂(CdTe)_(16×N)(N=1-2)纳米团簇的结构 | 第33-34页 |
| 4.2.2 Ag掺杂(CdTe)_(16×N)(N=1-2)纳米团簇的电学性质 | 第34-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-48页 |
| 第五章 Ag掺杂(CdTe)_(34)核壳纳米团簇的结构与电学性质 | 第48-54页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第48-52页 |
| 5.2.1 Ag掺杂(CdTe)_(34)壳核纳米团簇的结构 | 第48-50页 |
| 5.2.2 Ag掺杂的(CdTe)_(34)团簇的电学性质 | 第50-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第六章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 主要结论 | 第54-55页 |
| 6.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
