| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-45页 |
| 1.1 有机薄膜晶体管(OTFT)的研究进展及意义 | 第10-14页 |
| 1.2 OTFT的结构、工作原理及电学性能参数 | 第14-22页 |
| 1.2.1 OTFT的结构 | 第14-17页 |
| 1.2.2 OTFT的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.2.3 OTFT的电学性能参数 | 第19-22页 |
| 1.3 OTFT的材料及制备方法 | 第22-27页 |
| 1.3.1 OTFT的半导体材料 | 第22-24页 |
| 1.3.2 OTFT的介电层材料 | 第24-25页 |
| 1.3.3 OTFT的电极材料 | 第25页 |
| 1.3.4 OTFT的制备方法 | 第25-27页 |
| 1.4 当前OTFT面临的主要问题 | 第27-31页 |
| 1.4.1 有机半导体输运机制的完善 | 第28-29页 |
| 1.4.2 载流子迁移率有待提高 | 第29页 |
| 1.4.3 阂值电压调控与电流回滞现象 | 第29-31页 |
| 1.4.4 介电材料与电极材料的开发 | 第31页 |
| 1.5 电流回滞现象的起源及表征 | 第31-37页 |
| 1.5.1 Si/SiO_2器件中电流回滞的起源 | 第32-33页 |
| 1.5.2 OTFT中电流回滞的起源 | 第33-36页 |
| 1.5.3 电流回滞的测量与量化表征 | 第36-37页 |
| 1.6 本文的研究目的及主要内容 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-45页 |
| 第二章 沟道材料选择与器件测试表征 | 第45-72页 |
| 2.1 背栅、底接触型OTFT制备工艺 | 第45-47页 |
| 2.2 低迁移率半导体材料——F8T2 | 第47-52页 |
| 2.2.1 F8T2的结构与导电特性 | 第47-48页 |
| 2.2.2 F8T2溶液的配制与光谱表征 | 第48-52页 |
| 2.3 高迁移率半导体材料——SWCNT | 第52-58页 |
| 2.3.1 SWCNT的结构与导电特性 | 第52-56页 |
| 2.3.2 SWCNT溶液的配制与光谱表征 | 第56-58页 |
| 2.4 F8T2/SWCNT混合材料 | 第58-60页 |
| 2.4.1 混合溶液的配制与光谱表征 | 第58-59页 |
| 2.4.2 F8T2与SWCNT的相互作用 | 第59-60页 |
| 2.5 器件测试表征方法 | 第60-66页 |
| 2.5.1 沟道形貌的AFM表征 | 第61页 |
| 2.5.2 沟道薄膜的Raman光谱表征 | 第61-63页 |
| 2.5.3 器件电学性能测试 | 第63-66页 |
| 2.6 本文涉及的实验参数 | 第66-67页 |
| 2.7 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 第三章 F8T2-TFT和SWCNT-TFT电流回滞对比 | 第72-92页 |
| 3.1 SWCNT随机网络的淀积 | 第72-77页 |
| 3.1.1 SAM的种类与功能 | 第72-73页 |
| 3.1.2 SAM增强SWCNT与SiO_2粘附性 | 第73-77页 |
| 3.2 SWCNT-TFT电流回滞 | 第77-83页 |
| 3.2.1 SWCNT-TFT电流回滞的起源 | 第77-81页 |
| 3.2.2 交流脉冲法对SWCNT-TFT电流回滞影响 | 第81-82页 |
| 3.2.3 光照对SWCNT-TFT电流回滞影响 | 第82-83页 |
| 3.3 F8T2-TFT电流回滞 | 第83-86页 |
| 3.3.1 F8T2-TFT电流回滞的起源 | 第83-85页 |
| 3.3.2 光照及AP法对F8T2-TFT电流回滞的影响 | 第85-86页 |
| 3.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 第四章 F8T2/SWCNT混合物TFT电流回滞的起源 | 第92-115页 |
| 4.1 F8T2/SWCNT混合物TFT的制备及表征 | 第92-96页 |
| 4.2 混合物TFT电流回滞与沟道尺寸的关系 | 第96-102页 |
| 4.2.1 电流回滞与L的关系 | 第97-99页 |
| 4.2.2 电流回滞与W的关系 | 第99-100页 |
| 4.2.3 蒙特卡罗法计算薄膜电导σ_□与L关系 | 第100-102页 |
| 4.3 “电化学辅助下双极化子形成与分解”模型 | 第102-105页 |
| 4.3.1 长、短沟道器件AP测试结果对比 | 第102-103页 |
| 4.3.2 “水氧电化学辅助下双极化子形成与分解”模型 | 第103-105页 |
| 4.4 电学测试对模型的验证 | 第105-111页 |
| 4.4.1 长、短沟道器件单脉冲栅压法对比 | 第106-107页 |
| 4.4.2 长沟道器件电容回滞与电流回滞对比 | 第107-109页 |
| 4.4.3 长沟道器件光照下电流回滞 | 第109-110页 |
| 4.4.4 长、短沟道器件输出特性曲线对比 | 第110-111页 |
| 4.5 本章小结 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-115页 |
| 第五章 双极化子的光照分解及热激活能测试 | 第115-133页 |
| 5.1 COM-TFT的光电效应 | 第115-117页 |
| 5.2 不同光波长与功率下的光电响应 | 第117-123页 |
| 5.2.1 光照波长对电流回滞的影响 | 第117-119页 |
| 5.2.2 光照功率对电流回滞的影响 | 第119-121页 |
| 5.2.3 光照位置对电流回滞的影响 | 第121-123页 |
| 5.3 光照下(BP~(2+)-OH~-)分解模型 | 第123-126页 |
| 5.4 变温实验及热激活能 | 第126-131页 |
| 5.5 本章小结 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-133页 |
| 第六章 总结 | 第133-136页 |
| 附录：博士期间发表论文 | 第136-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
