| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 金刚石的结构、性质及应用 | 第10-12页 |
| 1.2.1 金刚石的结构 | 第10页 |
| 1.2.2 金刚石的性质及应用 | 第10-12页 |
| 1.3 CVD方法生长金刚石的原理 | 第12-14页 |
| 1.4 CVD生长金刚石的方法 | 第14-16页 |
| 1.4.1 热丝CVD法 | 第14-15页 |
| 1.4.2 直流等离子体喷射CVD法 | 第15页 |
| 1.4.3 微波等离子体CVD法 | 第15-16页 |
| 1.5 CVD生长金刚石的研究 | 第16-20页 |
| 1.6 论文选题及主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 实验方法 | 第21-27页 |
| 2.1 实验设备与材料 | 第21-23页 |
| 2.1.1 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.1.2 实验材料 | 第22-23页 |
| 2.2 金刚石单晶、薄膜的制备流程及主要材料表征方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 金刚石单晶的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.2 金刚石薄膜的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.3 光学显微镜 | 第25页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第25页 |
| 2.2.5 拉曼光谱 | 第25-26页 |
| 2.2.6 X射线衍射谱 | 第26页 |
| 2.2.7 紫外-可见光谱 | 第26-27页 |
| 第3章 金刚石单晶外延生长工艺及缺陷控制研究 | 第27-52页 |
| 3.1 功率对单晶金刚石外延生长的影响 | 第27-31页 |
| 3.2 气压对单晶金刚石外延生长的影响 | 第31-34页 |
| 3.3 温度对单晶金刚石外延生长的影响 | 第34-38页 |
| 3.4 CH_4流量对单晶金刚石外延生长的影响 | 第38-41页 |
| 3.5 O_2流量对单晶金刚石外延生长的影响 | 第41-45页 |
| 3.6 同比例增加CH_4和O_2流量对单晶金刚石外延生长的影响 | 第45-48页 |
| 3.7 样品台直径对单晶金刚石外延生长的影响 | 第48-50页 |
| 3.8 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 自支撑金刚石薄膜生长工艺及透光度研究 | 第52-66页 |
| 4.1 温度对多晶金刚石薄膜生长的影响 | 第52-57页 |
| 4.2 功率对多晶金刚石薄膜生长的影响 | 第57-61页 |
| 4.3 O_2流量对多晶金刚石薄膜生长的影响 | 第61-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |