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基于锗硅技术的1.6GHz E类射频功率放大器设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-12页
    1.1 研究背景与意义第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-10页
    1.3 研究内容与设计指标第10-11页
        1.3.1 研究内容第10页
        1.3.2 设计指标第10-11页
    1.4 论文组织结构第11-12页
第二章 功率放大器设计基础第12-22页
    2.1 功率放大器的主要性能参数第12-13页
        2.1.1 线性度第12页
        2.1.2 输出功率和功率增益第12页
        2.1.3 漏极效率和功率附加效率第12-13页
        2.1.4 输入输出电压驻波比第13页
        2.1.5 功率利用因子第13页
    2.2 功率放大器的分类第13-19页
        2.2.1 A类功率放大器第13-14页
        2.2.2 B类功率放大器第14-16页
        2.2.3 C类功率放大器第16-17页
        2.2.4 D类功率放大器第17页
        2.2.5 E类功率放大器第17-19页
        2.2.6 F类功率放大器第19页
    2.3 CMOS功率放大器设计要点第19-20页
        2.3.1 MOS晶体管低跨导问题第19-20页
        2.3.2 晶体管耐压问题第20页
        2.3.3 衬底问题第20页
        2.3.4 晶体管模型问题第20页
    2.4 本章小结第20-22页
第三章 E类功率放大器的设计第22-46页
    3.1 E类功率放大器的整体框图第22页
    3.2 负载网络的设计第22-25页
    3.3 功放驱动级设计第25-26页
    3.4 共源共栅结构的E类功放第26-27页
    3.5 偏置电路的设计第27页
    3.6 匹配网络设计第27-29页
    3.7 开关管尺寸的确定第29页
    3.8 E类功率放大器的整体设计第29-31页
    3.9 E类功放的前仿真第31-43页
        3.9.1 瞬态仿真第31-32页
        3.9.2 稳定性仿真第32-33页
        3.9.3 输入驻波比仿真第33-37页
        3.9.4 输出功率和功率附加效率仿真第37-43页
    3.10 功率增益仿真第43-44页
    3.11 本章小结第44-46页
第四章 版图设计和后仿真第46-62页
    4.1 版图设计的考虑因素第46-47页
    4.2 E类功放的版图设计第47-48页
    4.3 E类功放的后仿真第48-58页
        4.3.1 瞬态仿真第48-49页
        4.3.2 输入驻波比仿真第49-52页
        4.3.3 输出功率和功率附加效率仿真第52-58页
    4.4 功率增益仿真第58-59页
    4.5 本章小结第59-62页
第五章 总结与展望第62-64页
    5.1 工作总结第62页
    5.2 工作展望第62-64页
致谢第64-66页
参考文献第66-67页

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