基于锗硅技术的1.6GHz E类射频功率放大器设计
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第8-12页 |
1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
1.2 国内外研究现状 | 第9-10页 |
1.3 研究内容与设计指标 | 第10-11页 |
1.3.1 研究内容 | 第10页 |
1.3.2 设计指标 | 第10-11页 |
1.4 论文组织结构 | 第11-12页 |
第二章 功率放大器设计基础 | 第12-22页 |
2.1 功率放大器的主要性能参数 | 第12-13页 |
2.1.1 线性度 | 第12页 |
2.1.2 输出功率和功率增益 | 第12页 |
2.1.3 漏极效率和功率附加效率 | 第12-13页 |
2.1.4 输入输出电压驻波比 | 第13页 |
2.1.5 功率利用因子 | 第13页 |
2.2 功率放大器的分类 | 第13-19页 |
2.2.1 A类功率放大器 | 第13-14页 |
2.2.2 B类功率放大器 | 第14-16页 |
2.2.3 C类功率放大器 | 第16-17页 |
2.2.4 D类功率放大器 | 第17页 |
2.2.5 E类功率放大器 | 第17-19页 |
2.2.6 F类功率放大器 | 第19页 |
2.3 CMOS功率放大器设计要点 | 第19-20页 |
2.3.1 MOS晶体管低跨导问题 | 第19-20页 |
2.3.2 晶体管耐压问题 | 第20页 |
2.3.3 衬底问题 | 第20页 |
2.3.4 晶体管模型问题 | 第20页 |
2.4 本章小结 | 第20-22页 |
第三章 E类功率放大器的设计 | 第22-46页 |
3.1 E类功率放大器的整体框图 | 第22页 |
3.2 负载网络的设计 | 第22-25页 |
3.3 功放驱动级设计 | 第25-26页 |
3.4 共源共栅结构的E类功放 | 第26-27页 |
3.5 偏置电路的设计 | 第27页 |
3.6 匹配网络设计 | 第27-29页 |
3.7 开关管尺寸的确定 | 第29页 |
3.8 E类功率放大器的整体设计 | 第29-31页 |
3.9 E类功放的前仿真 | 第31-43页 |
3.9.1 瞬态仿真 | 第31-32页 |
3.9.2 稳定性仿真 | 第32-33页 |
3.9.3 输入驻波比仿真 | 第33-37页 |
3.9.4 输出功率和功率附加效率仿真 | 第37-43页 |
3.10 功率增益仿真 | 第43-44页 |
3.11 本章小结 | 第44-46页 |
第四章 版图设计和后仿真 | 第46-62页 |
4.1 版图设计的考虑因素 | 第46-47页 |
4.2 E类功放的版图设计 | 第47-48页 |
4.3 E类功放的后仿真 | 第48-58页 |
4.3.1 瞬态仿真 | 第48-49页 |
4.3.2 输入驻波比仿真 | 第49-52页 |
4.3.3 输出功率和功率附加效率仿真 | 第52-58页 |
4.4 功率增益仿真 | 第58-59页 |
4.5 本章小结 | 第59-62页 |
第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
5.1 工作总结 | 第62页 |
5.2 工作展望 | 第62-64页 |
致谢 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-67页 |