基于SiGe HBT工艺的功率放大器模块及单片电路的设计
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 SiGe HBT工艺概述 | 第12-14页 |
| 1.3 SiGe HBT功率放大器的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 本文研究工作及组织结构 | 第16-19页 |
| 第2章 射频功率放大器的理论基础 | 第19-33页 |
| 2.1 功率放大器的性能参数 | 第19-23页 |
| 2.1.1 输出功率 | 第19页 |
| 2.1.2 功率增益 | 第19-20页 |
| 2.1.3 效率 | 第20页 |
| 2.1.4 线性度 | 第20-23页 |
| 2.2 功率放大器的分类 | 第23-24页 |
| 2.2.1 A类、B类和C类功率放大器 | 第23-24页 |
| 2.2.2 AB类放大器 | 第24页 |
| 2.3 功率放大器的设计理论 | 第24-32页 |
| 2.3.1 阻抗与反射系数 | 第24-26页 |
| 2.3.2 稳定性 | 第26-28页 |
| 2.3.3 阻抗匹配理论 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 功率放大器单片电路的设计 | 第33-55页 |
| 3.1 功率放大器的设计指标 | 第33页 |
| 3.2 功率放大器的设计方案 | 第33-34页 |
| 3.3 功率放大器的电路设计 | 第34-39页 |
| 3.3.1 晶体管的选择 | 第34-36页 |
| 3.3.2 稳定性设计 | 第36-37页 |
| 3.3.3 偏置电路的设计 | 第37-38页 |
| 3.3.4 匹配电路的设计 | 第38-39页 |
| 3.4 功率放大器电路结构及前仿真结果 | 第39-41页 |
| 3.5 功率放大器的版图设计和后仿真结果 | 第41-46页 |
| 3.5.1 版图设计考虑 | 第42-44页 |
| 3.5.2 后仿真结果 | 第44-46页 |
| 3.6 功率放大器芯片的测试 | 第46-52页 |
| 3.6.1 PCB的设计 | 第46-48页 |
| 3.6.2 测试流程 | 第48-50页 |
| 3.6.3 测试结果与分析 | 第50-52页 |
| 3.7 本章小结 | 第52-55页 |
| 第4章 高线性度功率放大器模块的设计 | 第55-67页 |
| 4.1 功率放大器模块的设计指标 | 第55页 |
| 4.2 功率单元的选择 | 第55-58页 |
| 4.3 功率放大器模块的调试 | 第58-63页 |
| 4.3.1 TRL校准 | 第58-60页 |
| 4.3.2 功率单元的级联 | 第60-63页 |
| 4.4 功率放大器模块的测试结果 | 第63-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第75-76页 |
| 附件 | 第76页 |
