摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 绪论 | 第9-21页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 石墨烯的性质与应用 | 第9-13页 |
1.2.1 石墨烯的概述 | 第9-10页 |
1.2.2 石墨烯的性质 | 第10-12页 |
1.2.3 石墨烯的制备 | 第12-13页 |
1.3 石墨烯与光调制 | 第13-15页 |
1.4 石墨烯光调制器研究进展 | 第15-17页 |
1.5 石墨烯超材料的发展 | 第17-19页 |
1.6 本论文的主要内容和意义 | 第19-21页 |
第二章 太赫兹技术与超材料的基本理论 | 第21-33页 |
2.1 太赫兹技术 | 第21-22页 |
2.2 超材料概述 | 第22-29页 |
2.2.1 什么是超材料 | 第22-23页 |
2.2.2 超材料中负介电常数与负磁导率的实现 | 第23-29页 |
2.3 超材料的特性 | 第29-32页 |
2.3.1 负折射率 | 第29-30页 |
2.3.2 逆Cherenkov(逆切伦科夫辐射)效应和反压光效应 | 第30-31页 |
2.3.3 逆Doppler(逆多普勒)效应 | 第31-32页 |
2.4 本章小结 | 第32-33页 |
第三章 石墨烯超材料对TM偏振太赫兹波的强度调制研究 | 第33-43页 |
3.1 石墨烯超材料的模型 | 第33-34页 |
3.2 石墨烯超材料对正入射TM偏振太赫兹波的调制 | 第34-39页 |
3.2.1 不同费米能级下的响应特点 | 第34-37页 |
3.2.2 不同臂宽石墨烯超材料对TM偏振太赫兹波的调制特点 | 第37-38页 |
3.2.3 不同石墨烯超材料层数对TM偏振太赫兹波的调制特点 | 第38-39页 |
3.3 石墨烯超材料对斜入射TM偏振太赫兹波的调制特点 | 第39-42页 |
3.3.1 单层石墨烯不同角度下的调制特点 | 第39-41页 |
3.3.2 四层石墨烯超材料在不同角度下的调制特点 | 第41-42页 |
3.4 本章小结 | 第42-43页 |
第四章 石墨烯超材料对TE偏振太赫兹波的强度调制研究 | 第43-53页 |
4.1 不同费米能级下对正入射TE偏振的调制特点 | 第43-45页 |
4.2 对正入射TE偏振太赫兹波的调制研究 | 第45-49页 |
4.2.1 不同开口宽度结构对正入射TE偏振的调制特点 | 第45-47页 |
4.2.2 不同石墨烯层数对正入射TE偏振的调制特点 | 第47-49页 |
4.3 对斜入射TE偏振太赫兹波的调制研究 | 第49-52页 |
4.3.1 单层石墨烯对斜入射TE偏振太赫兹波的调制特点 | 第49-51页 |
4.3.2 四层石墨烯超材料结构对斜入射TE偏振的调制特点 | 第51-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-53页 |
第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
5.1 全文工作总结 | 第53-54页 |
5.2 存在的问题和下一步工作展望 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-61页 |
攻读硕士学位期间取得的科研成果 | 第61-62页 |
致谢 | 第62页 |