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基于石墨烯超材料的太赫兹波调制理论设计

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 引言第9页
    1.2 石墨烯的性质与应用第9-13页
        1.2.1 石墨烯的概述第9-10页
        1.2.2 石墨烯的性质第10-12页
        1.2.3 石墨烯的制备第12-13页
    1.3 石墨烯与光调制第13-15页
    1.4 石墨烯光调制器研究进展第15-17页
    1.5 石墨烯超材料的发展第17-19页
    1.6 本论文的主要内容和意义第19-21页
第二章 太赫兹技术与超材料的基本理论第21-33页
    2.1 太赫兹技术第21-22页
    2.2 超材料概述第22-29页
        2.2.1 什么是超材料第22-23页
        2.2.2 超材料中负介电常数与负磁导率的实现第23-29页
    2.3 超材料的特性第29-32页
        2.3.1 负折射率第29-30页
        2.3.2 逆Cherenkov(逆切伦科夫辐射)效应和反压光效应第30-31页
        2.3.3 逆Doppler(逆多普勒)效应第31-32页
    2.4 本章小结第32-33页
第三章 石墨烯超材料对TM偏振太赫兹波的强度调制研究第33-43页
    3.1 石墨烯超材料的模型第33-34页
    3.2 石墨烯超材料对正入射TM偏振太赫兹波的调制第34-39页
        3.2.1 不同费米能级下的响应特点第34-37页
        3.2.2 不同臂宽石墨烯超材料对TM偏振太赫兹波的调制特点第37-38页
        3.2.3 不同石墨烯超材料层数对TM偏振太赫兹波的调制特点第38-39页
    3.3 石墨烯超材料对斜入射TM偏振太赫兹波的调制特点第39-42页
        3.3.1 单层石墨烯不同角度下的调制特点第39-41页
        3.3.2 四层石墨烯超材料在不同角度下的调制特点第41-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第四章 石墨烯超材料对TE偏振太赫兹波的强度调制研究第43-53页
    4.1 不同费米能级下对正入射TE偏振的调制特点第43-45页
    4.2 对正入射TE偏振太赫兹波的调制研究第45-49页
        4.2.1 不同开口宽度结构对正入射TE偏振的调制特点第45-47页
        4.2.2 不同石墨烯层数对正入射TE偏振的调制特点第47-49页
    4.3 对斜入射TE偏振太赫兹波的调制研究第49-52页
        4.3.1 单层石墨烯对斜入射TE偏振太赫兹波的调制特点第49-51页
        4.3.2 四层石墨烯超材料结构对斜入射TE偏振的调制特点第51-52页
    4.4 本章小结第52-53页
第五章 总结与展望第53-55页
    5.1 全文工作总结第53-54页
    5.2 存在的问题和下一步工作展望第54-55页
参考文献第55-61页
攻读硕士学位期间取得的科研成果第61-62页
致谢第62页

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