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空位和掺杂对ZnO纳米线电子结构影响的理论研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 纳米材料简介第9-11页
    1.2 一维ZnO纳米材料第11-16页
        1.2.1 一维ZnO纳米材料简介第12-13页
        1.2.2 一维ZnO纳米材料中的缺陷第13-14页
        1.2.3 一维ZnO纳米材料制备第14-15页
        1.2.4 一维ZnO纳米材料性能第15-16页
        1.2.5 一维ZnO纳米材料应用第16页
    1.3 课题来源第16页
    1.4 研究的主要内容和意义第16-18页
第2章 理论与方法第18-27页
    2.1 密度泛函理论第18-25页
    2.2 计算软件和模块第25-26页
    2.3 本章小结第26-27页
第3章 氧空位对ZnO纳米线电子结构的影响第27-37页
    3.1 引言第27-28页
    3.2 模拟方法和结构模型第28-29页
        3.2.1 模拟方法第28页
        3.2.2 结构模型第28-29页
    3.3 分析与讨论第29-35页
        3.3.1 尺寸和空位对结构稳定性的影响第29-30页
        3.3.2 尺寸和空位对电子结构的影响第30-35页
    3.4 本章小结第35-37页
第4章 氮掺杂对ZnO纳米线电子性能的影响第37-48页
    4.1 引言第37-38页
    4.2 模拟方法和结构模型第38-40页
        4.2.1 模拟方法第38页
        4.2.2 结构模型第38-39页
        4.2.3 散射机理第39-40页
    4.3 分析与讨论第40-47页
        4.3.1 掺杂对材料结构的影响第40-41页
        4.3.2 掺杂和尺寸对材料电子结构的影响第41-44页
        4.3.3 迁移率第44-47页
    4.4 本章小结第47-48页
结论第48-49页
参考文献第49-54页
攻读硕士学位期间参加的科研任务与主要成果第54-55页
致谢第55页

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