| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 太阳能电池的工作原理 | 第12页 |
| 1.3 CZTS薄膜电池的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 CZTS薄膜的制备方法 | 第13-18页 |
| 1.4.1 真空法 | 第13-15页 |
| 1.4.2 非真空法 | 第15-17页 |
| 1.4.3 其他一些制备CZTS薄膜材料及太阳电池的方法 | 第17-18页 |
| 1.5 太阳能电池的结构 | 第18-19页 |
| 1.6 本论文的研究目的和研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 CZTS薄膜材料的制备及表征 | 第21-29页 |
| 2.1 实验材料与仪器设备 | 第21-24页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第21-22页 |
| 2.1.2 实验仪器设备 | 第22-23页 |
| 2.1.3 检测设备 | 第23-24页 |
| 2.2 本实验主要工艺参数 | 第24-25页 |
| 2.3 薄膜沉积步骤 | 第25-26页 |
| 2.4 CZTS薄膜的表征方法 | 第26-29页 |
| 2.4.1 CZTS薄膜晶体和相结构分析 | 第26页 |
| 2.4.2 CZTS薄膜的表面形貌和化学组分分析 | 第26-27页 |
| 2.4.3 CZTS薄膜相的纯度分析 | 第27页 |
| 2.4.4 CZTS薄膜的光学性能分析 | 第27-28页 |
| 2.4.5 薄膜厚度的测量 | 第28页 |
| 2.4.6 CZTS薄膜电学性能分析 | 第28-29页 |
| 第3章 磁控溅射制备CZTS薄膜的工艺研究 | 第29-52页 |
| 3.1 磁控溅射法的原理及分类 | 第29-30页 |
| 3.2 磁控溅射制备CZTS薄膜材料的工艺研究 | 第30-52页 |
| 3.2.1 不同靶材的生长速率 | 第30-31页 |
| 3.2.2 以Zn S、Sn S和Cu为靶材制备CZTS薄膜工艺的研究 | 第31-37页 |
| 3.2.3 以Zn S、Sn和CuS为靶材制备CZTS薄膜工艺的研究 | 第37-52页 |
| 第4章 CZTS薄膜太阳电池的制备及性能表征 | 第52-61页 |
| 4.1 CZTS薄膜太阳电池的制备 | 第52-55页 |
| 4.1.1 Mo背电极的制备 | 第52页 |
| 4.1.2 缓冲层CdS薄膜制备 | 第52-54页 |
| 4.1.3 窗口层的作用及制备 | 第54页 |
| 4.1.4 Al电极的制备 | 第54页 |
| 4.1.5 器件后期处理 | 第54-55页 |
| 4.2 CZTS薄膜太阳电池的光电测试 | 第55-56页 |
| 4.3 叠层顺序为SLG/ Mo/ ZnS/ Sn/ CuS制备的预置层在不同温度硫化制备的CZTS薄膜太阳电池器件的性能 | 第56-58页 |
| 4.4 对于其他不同叠层顺序的预置层在 580 ℃硫化 15 min制备的CZTS薄膜太阳电池器件的性能 | 第58-59页 |
| 4.5 不同方法制备的缓冲层(CdS)对CZTS薄膜太阳电池器件的性能影响 | 第59-61页 |
| 第5章 结论与展望 | 第61-64页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 论文创新点 | 第62页 |
| 5.3 未来工作展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
