| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 相变磁性材料 | 第11-13页 |
| 1.2 基于稀磁半导体的自旋电子学研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 稀磁半导体铁磁机制的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.4 本文的研究内容及结构 | 第19-21页 |
| 2 相变磁性材料Ge_(1-x)Fe_xTe的制备及表征 | 第21-41页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 相变磁性材料Ge_(1-x)Fe_xTe的制备 | 第21-26页 |
| 2.3 薄膜材料的结构表征 | 第26-30页 |
| 2.4 薄膜的电输运测试 | 第30-35页 |
| 2.5 薄膜的磁性表征 | 第35-41页 |
| 3 多晶相变磁性材料Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的结构及电输运特性研究 | 第41-55页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 多晶相变磁性材料Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的结构表征 | 第42-44页 |
| 3.3 基于XPS谱的Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的电子结构研究 | 第44-47页 |
| 3.4 Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的载流子输运特性研究 | 第47-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 4 外延Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的铁磁机制研究 | 第55-64页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 Ge_(1-x)Fe_xTe外延薄膜的结构表征 | 第56-60页 |
| 4.3 Ge_(1-x)Fe_xTe外延薄膜的磁性行为研究 | 第60-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 5 外延Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的电输运及磁阻行为研究 | 第64-84页 |
| 5.1 引言 | 第64-65页 |
| 5.2 Ge_(0.98)Fe_(0.02)Te薄膜的反常Hall效应 | 第65-68页 |
| 5.3 Ge_(0.98)Fe_(0.02)Te薄膜的电输运行为与铁磁机理的联系研究 | 第68-76页 |
| 5.4 Ge_(0.98)Fe_(0.02)Te薄膜的磁阻研究 | 第76-81页 |
| 5.5 本章小结 | 第81-84页 |
| 6 外延Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的自旋玻璃行为研究 | 第84-104页 |
| 6.1 引言 | 第84页 |
| 6.2 自旋玻璃行为简介 | 第84-90页 |
| 6.3 Ge_(0.92)Fe_(0.08)Te薄膜的结构表征 | 第90-91页 |
| 6.4 Ge_(0.92)Fe_(0.08)Te薄膜的自旋玻璃行为的研究 | 第91-97页 |
| 6.5 自旋玻璃Ge_(0.92)Fe_(0.08)Te薄膜的电输运行为研究 | 第97-100页 |
| 6.6 不同Fe含量的Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的性质对比 | 第100-102页 |
| 6.7 本章小结 | 第102-104页 |
| 7 全文总结 | 第104-108页 |
| 7.1 研究内容总结 | 第104-106页 |
| 7.2 对进一步研究的展望 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-118页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第118页 |
