多孔硅的电化学制备与光致发光
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·多孔硅概述 | 第9-10页 |
| ·多孔硅的形成原理 | 第10-12页 |
| ·Beale耗尽模型 | 第10-11页 |
| ·空穴扩散限制模型 | 第11页 |
| ·量子限制模型 | 第11-12页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第12-18页 |
| ·化学腐蚀法 | 第12-13页 |
| ·电化学腐蚀法 | 第13-16页 |
| ·单槽电化学腐蚀法 | 第14页 |
| ·双槽电化学腐蚀法 | 第14-15页 |
| ·旋转槽电化学腐蚀法 | 第15页 |
| ·脉冲电化学腐蚀法 | 第15-16页 |
| ·光化学腐蚀法 | 第16页 |
| ·刻蚀法 | 第16-17页 |
| ·溅射刻蚀法 | 第16页 |
| ·蒸汽刻蚀法 | 第16页 |
| ·气体刻蚀法 | 第16-17页 |
| ·水热腐蚀法 | 第17-18页 |
| ·火花腐蚀法 | 第18页 |
| ·多孔硅的光致发光机理 | 第18-19页 |
| ·量子限制模型 | 第18页 |
| ·硅本征态表面态模型 | 第18-19页 |
| ·发光中心模型 | 第19页 |
| ·其他关于发光机理的解释 | 第19页 |
| ·硅-氢键发光 | 第19页 |
| ·硅氧烯发光 | 第19页 |
| ·多孔硅的微结构 | 第19-22页 |
| ·多孔硅的后处理 | 第22页 |
| ·氧化处理 | 第22页 |
| ·钝化处理 | 第22页 |
| ·超临界干燥处理 | 第22页 |
| ·多孔硅的应用前景 | 第22-24页 |
| ·本论文的研究目的及内容 | 第24页 |
| ·本章总结 | 第24-26页 |
| 第二章 样品的制备及测试 | 第26-33页 |
| ·电化学腐蚀装置 | 第28-31页 |
| ·电解池的制作 | 第28-29页 |
| ·电路的连接 | 第29页 |
| ·硅片的清洗 | 第29-30页 |
| ·腐蚀溶液的配制 | 第30页 |
| ·电化学腐蚀实验 | 第30-31页 |
| ·测试 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 光致发光 | 第33-50页 |
| ·实验 | 第33-34页 |
| ·实验数据及分析 | 第34-48页 |
| ·腐蚀液配比对多孔硅光致发光谱的影响 | 第35-36页 |
| ·腐蚀电流密度对多孔硅光致发光谱的影响 | 第36-37页 |
| ·腐蚀时间对多孔硅光致发光谱的影响 | 第37-39页 |
| ·自然氧化对多孔硅光致发光谱的影响 | 第39-40页 |
| ·硝酸处理对多孔硅光致发光谱的影响 | 第40-41页 |
| ·阴极还原对多孔硅光致发光谱的影响 | 第41-43页 |
| ·多孔硅荧光谱的双峰结构 | 第43-44页 |
| ·硝酸处理对多孔硅发光稳定性的影响 | 第44-45页 |
| ·阴极还原处理对多孔硅发光稳定性的影响 | 第45-46页 |
| ·硝酸处理对多孔硅表面不同位置发光性能的影响 | 第46-47页 |
| ·阴极还原处理对多孔硅表面不同位置发光性能的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 结论及未来的方向 | 第50-52页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| ·未来的研究方向 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第57页 |
