| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 二维纳米材料的制备方法 | 第14-19页 |
| 1.2.1 机械剥离法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 电化学剥离法 | 第15-17页 |
| 1.2.3 液相剥离法 | 第17-18页 |
| 1.2.4 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
| 1.3 二维纳米材料自组装与转移 | 第19-22页 |
| 1.3.1 Langmuir-Blodgett自组装与转移 | 第19-21页 |
| 1.3.2 Vacuum filtrated自组装与转移 | 第21-22页 |
| 1.4 二维纳米材料的主要应用 | 第22-27页 |
| 1.4.1 场效应晶体管(FET) | 第22-24页 |
| 1.4.2 光电探测器 | 第24-25页 |
| 1.4.3 太阳能储能 | 第25-27页 |
| 1.5 光电化学测试的基本原理 | 第27-31页 |
| 1.5.1 半导体光电极/电解液结界面的形成 | 第27-29页 |
| 1.5.2 光照条件下半导体光电极/电解液结界面能级变化 | 第29-30页 |
| 1.5.3 外加偏压对半导体光电极/电解液结界面能级的影响 | 第30-31页 |
| 1.6 本论文的选题思路、主要研究内容和创新点 | 第31-34页 |
| 1.6.1 选题思路 | 第31页 |
| 1.6.2 主要研究内容 | 第31页 |
| 1.6.3 创新点 | 第31-34页 |
| 第二章 实验试剂、仪器与表征 | 第34-38页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第34-35页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第34页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第34-35页 |
| 2.2 材料表征 | 第35-38页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第35页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第35页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第35页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第35页 |
| 2.2.5 紫外可见近红外吸收光谱(UV-vis-NIR) | 第35页 |
| 2.2.6 角分辨光谱测试 | 第35页 |
| 2.2.7 拉曼光谱(Raman) | 第35页 |
| 2.2.8 傅里叶红外光谱(FT-IR) | 第35页 |
| 2.2.9 原子力显微镜(AFM) | 第35-36页 |
| 2.2.10 氮气等温吸附/脱附比表面积和孔吸附量测试 | 第36页 |
| 2.2.11 材料I-V性能测试 | 第36页 |
| 2.2.12 光电流响应测试 | 第36-38页 |
| 第三章 二维MoS_2纳米片的制备及微结构特征 | 第38-58页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-41页 |
| 3.2.1 MoS_2纳米片薄膜的制备 | 第39页 |
| 3.2.2 MoS_2粉体的制备 | 第39页 |
| 3.2.3 二维MoS_2纳米片的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.4 二维MoS_2纳米片薄膜的制备 | 第40页 |
| 3.2.5 光电流响应测试 | 第40-41页 |
| 3.3 分析与讨论 | 第41-55页 |
| 3.3.1 MoS_2纳米片薄膜的微结构特征及形成机理 | 第41-50页 |
| 3.3.2 二维MoS_2纳米片薄膜的微结构特征及光电流响应特性 | 第50-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-58页 |
| 第四章 二维g-C_3N_4纳米片的制备及光电流响应特性 | 第58-74页 |
| 4.1 引言 | 第58-59页 |
| 4.2 实验部分 | 第59-60页 |
| 4.2.1 块体g-C_3N_4的制备 | 第59页 |
| 4.2.2 二维g-C_3N_4纳米片的制备 | 第59页 |
| 4.2.3 二维g-C_3N_4纳米片薄膜的制备 | 第59页 |
| 4.2.4 二维g-C_3N_4/CNTs纳米异质结薄膜的制备 | 第59页 |
| 4.2.5 光电流响应测试 | 第59-60页 |
| 4.3 分析与讨论 | 第60-72页 |
| 4.3.1 二维g-C_3N_4纳米片形成机理探讨 | 第60-66页 |
| 4.3.2 二维g-C_3N_4纳米片薄膜的微结构特征及光电流响应特性 | 第66-70页 |
| 4.3.3 二维g-C_3N_4/CNTs纳米异质结薄膜光电流响应增强机制 | 第70-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 二维g-C_3N_4/MoS_2异质结的构建及光电流响应增强机制 | 第74-88页 |
| 5.1 引言 | 第74-75页 |
| 5.2 实验部分 | 第75-76页 |
| 5.2.1 二维g-g-C_3N_4/MoS_2纳米异质结薄膜的制备 | 第75页 |
| 5.2.2 二维g-C_3N_4/MoS_2/CNTs纳米异质结薄膜的制备 | 第75页 |
| 5.2.3 TiO_2界面耦合g-C_3N_4/MoS_2纳米异质结薄膜的制备 | 第75页 |
| 5.2.4 光电流响应测试 | 第75-76页 |
| 5.3 分析与讨论 | 第76-86页 |
| 5.3.1 二维g-C_3N_4/MoS_2异质结形成机理及光电流响应增强机制 | 第76-81页 |
| 5.3.2 CNTs网络耦合二维g-C_3N_4/MoS_2异质结光电流响应增强机制 | 第81-84页 |
| 5.3.3 TiO_2界面耦合二维g-C_3N_4/MoS_2异质结光电流响应增强机制 | 第84-86页 |
| 5.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 层状TiO_2纳米结构薄膜的制备及光电流响应特性 | 第88-100页 |
| 6.1 引言 | 第88-89页 |
| 6.2 实验部分 | 第89-90页 |
| 6.2.1 水热法制备TiO_2纳米结构薄膜 | 第89页 |
| 6.2.2 酸处理水热法制备TiO_2纳米结构薄膜 | 第89页 |
| 6.2.3 光电流响应测试 | 第89-90页 |
| 6.3 分析与讨论 | 第90-97页 |
| 6.3.1 层状TiO_2纳米结构薄膜的微结构特征及形成机理 | 第90-93页 |
| 6.3.2 层状TiO_2纳米结构薄膜光电流响应特性 | 第93-97页 |
| 6.4 本章小结 | 第97-100页 |
| 总结与展望 | 第100-104页 |
| 参考文献 | 第104-114页 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第114-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 作者简介 | 第120页 |
