摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-12页 |
第一章 文献综述 | 第12-34页 |
·石墨烯概述 | 第12页 |
·石墨烯的结构及缺陷 | 第12-20页 |
·石墨烯本征缺陷 | 第14-17页 |
·石墨烯外引入缺陷 | 第17-20页 |
·石墨烯缺陷的形成原因 | 第20-21页 |
·石墨烯缺陷对其性质的影响 | 第21-25页 |
·石墨烯缺陷与磁性质 | 第22页 |
·石墨烯缺陷与电性质 | 第22-23页 |
·石墨烯缺陷与力学性质 | 第23-24页 |
·石墨烯缺陷与导热性质 | 第24页 |
·石墨烯缺陷与化学性质 | 第24-25页 |
·石墨烯缺陷的调控方法 | 第25-27页 |
·缺陷制造 | 第25-26页 |
·缺陷减少 | 第26-27页 |
·双层石墨烯结构缺陷 | 第27-28页 |
·化学模拟及模拟软件简介 | 第28-31页 |
·计算机化学及分子模型化 | 第28-29页 |
·GROMACS | 第29-30页 |
·PRODRG | 第30页 |
·Gaussian 09 | 第30-31页 |
·VMD | 第31页 |
·本课题的提出及主要研究内容 | 第31-34页 |
第二章 材料制备与表征方法 | 第34-44页 |
·原料与试剂 | 第34-35页 |
·原料来源与基本性质 | 第34-35页 |
·化学试剂 | 第35页 |
·仪器与设备 | 第35-36页 |
·材料前处理与制备 | 第36-37页 |
·磺化沥青前处理 | 第36页 |
·氧化石墨烯制备 | 第36-37页 |
·模拟手段和参数设定 | 第37-38页 |
·表征手段 | 第38-44页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第38页 |
·透射电子显微镜(TEM) | 第38页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第38-39页 |
·偏光显微镜 | 第39页 |
·X射线衍射(XRD) | 第39页 |
·光电子能谱(XPS) | 第39页 |
·拉曼光谱 | 第39-40页 |
·红外光谱(FTIR) | 第40页 |
·气相色谱-质谱联用测试(GC - MS) | 第40页 |
·热重分析(TGA) | 第40页 |
·差示扫描量热分析(DSC) | 第40页 |
·颗粒强度测试 | 第40-41页 |
·粒度分析 | 第41页 |
·电阻率测试 | 第41-42页 |
·球体电阻测试 | 第42-44页 |
第三章 氧化石墨烯在无机盐水溶液中的运动行为与机理分析 | 第44-64页 |
·引言 | 第44页 |
·氧化石墨烯在硫酸钠水溶液中的运动行为 | 第44-45页 |
·机理推测 | 第45页 |
·模型化处理 | 第45-49页 |
·预模拟 | 第49-51页 |
·能量最小化 | 第49页 |
·体系温度压力的稳定 | 第49-51页 |
·氧化石墨烯运动轨迹分析 | 第51-52页 |
·机理分析 | 第52-54页 |
·机理的实验证实 | 第54-57页 |
·常见无机盐对氧化石墨烯水中运动行为的影响 | 第55页 |
·无机盐浓度对氧化石墨烯水中运动行为的影响 | 第55-56页 |
·离子种类对氧化石墨烯水中运动行为的影响 | 第56-57页 |
·氧化石墨烯在无机盐溶液中运动行为的潜在应用探讨 | 第57-59页 |
·氧化石墨烯薄膜在硫酸钠水溶液中的水热转化及产物分析 | 第59-62页 |
·本章小结 | 第62-64页 |
第四章 氧化石墨烯在高强度炭球表面的自组装与导电改性 | 第64-82页 |
·引言 | 第64-65页 |
·沥青基高强度炭球的新工艺路线探讨 | 第65-66页 |
·活性溶剂的选择 | 第66-67页 |
·聚合反应物料比例、温度和时间的确定 | 第67-68页 |
·反应过程研究 | 第68-72页 |
·混合放热现象的研究 | 第68-69页 |
·恒温过程反应机理研究 | 第69-72页 |
·成球工艺研究 | 第72-73页 |
·炭化工艺研究 | 第73-75页 |
·低温热处理工艺的研究 | 第75-77页 |
·不同粒径炭球的平均强度 | 第77-78页 |
·氧化石墨烯在高强度炭球表面的自组装 | 第78-79页 |
·高强度炭球的导电改性 | 第79-80页 |
·本章小节 | 第80-82页 |
第五章 选择性表面氧化法用于控制石墨烯缺陷 | 第82-94页 |
·引言 | 第82-83页 |
·实验设计 | 第83-85页 |
·实验流程 | 第83-84页 |
·空气热处理温度和时间的确定 | 第84-85页 |
·热处理前后膜形貌变化及组分分析 | 第85-87页 |
·MGS形貌 | 第87-88页 |
·选择性氧化法中石墨烯的缺陷变化 | 第88-90页 |
·缺陷石墨烯选择性氧化行为机理 | 第90-91页 |
·MGS导电均匀性研究 | 第91-92页 |
·本章小节 | 第92-94页 |
第六章 炭质中间相转化过程中的石墨烯形成与并域缺陷特点 | 第94-100页 |
·引言 | 第94-96页 |
·实验设计 | 第96页 |
·炭质中间相转化过程中石墨烯形成与并域缺陷 | 第96-98页 |
·本章小节 | 第98-100页 |
第七章 全文主要结论、创新点及建议 | 第100-104页 |
·论文主要结论 | 第100-101页 |
·主要创新点 | 第101页 |
·对进一步研究的建议 | 第101-104页 |
参考文献 | 第104-118页 |
发表论文和科研情况说明 | 第118-120页 |
附录一:优化后的氧化石墨烯模型空间坐标参数 | 第120-124页 |
附录二:具有本征缺陷石墨烯的电荷分布图 | 第124-128页 |
致谢 | 第128-129页 |