| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 1 引言 | 第12-17页 |
| 2 文献综述 | 第17-45页 |
| ·金刚石的晶体学特征及其物化性能 | 第17-19页 |
| ·金刚石的晶体结构 | 第17-18页 |
| ·金刚石的化学、机械及物理性能 | 第18-19页 |
| ·金刚石的人工合成方法与技术 | 第19-25页 |
| ·高温高压法(HPHT) | 第19-20页 |
| ·热丝化学气相沉积法(HFCVD) | 第20页 |
| ·微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD) | 第20-21页 |
| ·直流电弧喷射等离子体化学气相沉积法(DC Arcjet Plasma CVD) | 第21-25页 |
| ·CVD金刚石技术的研究历史和研究进展 | 第25-40页 |
| ·CVD金刚石的研究历史 | 第25-31页 |
| ·CVD金刚石的研究进展 | 第31-40页 |
| ·等离子体研究简介 | 第40-42页 |
| ·光发射谱在直流电弧等离子体CVD过程中的应用 | 第42-45页 |
| 3 沉积设备、实验方法及样品表征 | 第45-53页 |
| ·沉积设备 | 第45-48页 |
| ·等离子体诊断设备 | 第45-48页 |
| ·温度测量 | 第48页 |
| ·实验方法 | 第48-51页 |
| ·衬底的处理 | 第48-49页 |
| ·等离子体模拟计算 | 第49-51页 |
| ·样品的表征技术 | 第51-53页 |
| ·常规表征技术 | 第51页 |
| ·特殊表征技术 | 第51-53页 |
| 4 多晶金刚石膜的制备 | 第53-67页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·实验过程 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-66页 |
| ·石墨上的沉积结果 | 第53-56页 |
| ·Mo衬底上的沉积结果 | 第56-66页 |
| ·本节结论 | 第66-67页 |
| 5 沉积环境中等离子体成分的光发射谱诊断 | 第67-78页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·实验方法 | 第68-69页 |
| ·等离子体光发射谱诊断设备 | 第68-69页 |
| ·实验条件 | 第69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-76页 |
| ·典型直流电弧喷射等离子体成分分析 | 第69-70页 |
| ·典型气相条件下等离子体成分的空间分布 | 第70-72页 |
| ·典型气相条件下等离子体成分的时间演化 | 第72-74页 |
| ·生长面上方精细等离子体成分分布测量 | 第74-76页 |
| ·本节结论 | 第76-78页 |
| 6 等离子体流场模拟分析 | 第78-98页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·实验方法 | 第78-81页 |
| ·等离子体模型 | 第78-80页 |
| ·软件操作 | 第80-81页 |
| ·结果与讨论 | 第81-97页 |
| ·反应腔中等离子体流场模拟 | 第81-94页 |
| ·滞止区尺寸与流速的关系 | 第94-95页 |
| ·边界层厚度结果 | 第95-97页 |
| ·本节结论 | 第97-98页 |
| 7 直流电弧喷射等离子体技术中形核孕育期的研究 | 第98-106页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·实验方法 | 第99页 |
| ·结果与讨论 | 第99-105页 |
| ·OES诊断结果 | 第99-101页 |
| ·高分辨电镜结果 | 第101-105页 |
| ·本节结论 | 第105-106页 |
| 8 单晶金刚石的制备 | 第106-118页 |
| ·引言 | 第106页 |
| ·实验方法 | 第106-107页 |
| ·结果与讨论 | 第107-117页 |
| ·定态生长结果 | 第107-110页 |
| ·“动态”生长结果 | 第110-117页 |
| ·本节结论 | 第117-118页 |
| 9 结论 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-130页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第130-133页 |
| 学位论文数据集 | 第133页 |