方形硅纳米孔洞的制备及应用研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| ·硅纳米材料的研究背景 | 第9-10页 |
| ·硅纳米材料的制备方法 | 第10-14页 |
| ·金属辅助化学腐蚀法 | 第10-11页 |
| ·物理刻蚀法 | 第11页 |
| ·模板法 | 第11-12页 |
| ·电化学腐蚀法 | 第12-13页 |
| ·水热腐蚀法 | 第13-14页 |
| ·硅纳米线和多孔硅的形成机理 | 第14-16页 |
| ·硅纳米线的形成机理 | 第14-15页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第15-16页 |
| ·硅纳米材料的应用 | 第16-18页 |
| ·传感器 | 第16页 |
| ·发光器件 | 第16-17页 |
| ·硅基光电集成电路 | 第17页 |
| ·太阳能光伏器件 | 第17-18页 |
| ·本论文研究目的及内容 | 第18-20页 |
| 第2章 银纳米颗粒的形貌控制 | 第20-30页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·实验原料、仪器及实验过程 | 第21-22页 |
| ·实验原料和实验仪器 | 第21页 |
| ·实验过程 | 第21-22页 |
| ·退火条件对银纳米颗粒形貌的影响 | 第22-28页 |
| ·银膜厚度对银纳米颗粒形貌的影响 | 第23-24页 |
| ·升温速度对银纳米颗粒形貌的影响 | 第24-25页 |
| ·降温速度对银纳米颗粒形貌的影响 | 第25-26页 |
| ·保温时间对银纳米颗粒形貌的影响 | 第26-28页 |
| ·不同保护气体对银纳米颗粒形貌的影响 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-30页 |
| 第3章 方形硅纳米孔洞的制备及工艺参数的影响 | 第30-48页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·方形硅纳米孔洞的制备 | 第31-32页 |
| ·方形硅纳米孔洞形成的理论模型 | 第32-36页 |
| ·工艺参数对方形硅纳米孔洞生成的影响 | 第36-46页 |
| ·银纳米颗粒的形貌对方形硅纳米孔洞生成的影响 | 第37-38页 |
| ·HF浓度对方形硅纳米孔洞生成的影响 | 第38-40页 |
| ·H_2O_2浓度对方形硅纳米孔洞生成的影响 | 第40-41页 |
| ·反应温度对方形硅纳米孔洞生成的影响 | 第41-44页 |
| ·反应时间对方形硅纳米孔洞生成的影响 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第4章 方形硅纳米孔洞的应用研究 | 第48-56页 |
| ·方形硅纳米孔洞结构作为SERS活性基底 | 第48-51页 |
| ·SERS活性基底 | 第48-49页 |
| ·方形硅纳米孔洞结构活性基底对腺嘌呤的探测研究 | 第49-51页 |
| ·方形硅纳米孔洞结构的反射率测试 | 第51-53页 |
| ·以方形硅纳米孔洞为衬底沉积其它纳米材料 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第5章 结论与展望 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 个人简历 在学期间发表的学术论文及专利 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
