| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-29页 |
| ·一维纳米材料的简介 | 第10-14页 |
| ·一维纳米材料的生长机理 | 第10-13页 |
| ·一维纳米材料的特性 | 第13-14页 |
| ·SiC 一维纳米材料的研究概述 | 第14-18页 |
| ·SiC 一维纳米材料的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·SiC 一维纳米材料的理化性质 | 第15页 |
| ·SiC 一维纳米材料的基本性能及应用 | 第15-17页 |
| ·SiC 一维纳米材料的制备方法 | 第17-18页 |
| ·一维纳米材料的纯化及疏水改性研究现状 | 第18-24页 |
| ·一维纳米材料的纯化处理研究 | 第18-22页 |
| ·一维纳米材料的疏水改性研究 | 第22-24页 |
| ·SiC 一维纳米材料的纯化及疏水改性 | 第24-26页 |
| ·SiC 一维纳米材料的纯化 | 第24-25页 |
| ·SiC 一维纳米材料的疏水改性 | 第25-26页 |
| ·本文选题依据、主要研究内容及创新点 | 第26-29页 |
| ·本文的选题依据 | 第26-27页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第27-28页 |
| ·本文的主要创新点 | 第28-29页 |
| 2 实验部分 | 第29-32页 |
| ·实验仪器及实验原料 | 第29页 |
| ·实验仪器 | 第29页 |
| ·实验原料 | 第29页 |
| ·实验原料预处理 | 第29-30页 |
| ·SiC@SiO_2纳米电缆的煅烧 | 第29页 |
| ·溶液的配制 | 第29-30页 |
| ·实验步骤 | 第30-32页 |
| ·煅烧法可控处理 SiC@SiO_2纳米电缆的包覆层厚度 | 第30页 |
| ·溶液法可控处理 SiC@SiO_2纳米电缆的包覆层厚度 | 第30页 |
| ·制备 SiC@SiO_2纳米电缆的原料残留物的疏水改性 | 第30页 |
| ·SiC@SiO_2纳米电缆的疏水改性 | 第30-32页 |
| 3 SiC@SiO_2纳米电缆包覆层厚度的可控处理 | 第32-49页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·煅烧法可控处理 SiC@SiO_2纳米电缆的包覆层 | 第32-36页 |
| ·煅烧温度对 SiO_2包覆层厚度可控处理的影响 | 第33-34页 |
| ·煅烧时间对 SiO_2包覆层厚度可控处理的影响 | 第34-36页 |
| ·实验原理 | 第36页 |
| ·溶液法可控处理 SiC@SiO_2纳米电缆的包覆层 | 第36-48页 |
| ·反应时间对 SiO_2包覆层厚度可控处理的影响 | 第36-37页 |
| ·溶液浓度对 SiO_2包覆层厚度可控处理的影响 | 第37-38页 |
| ·SiO_2包覆层可控处理的机制、反应动力学及 PL 性能 | 第38-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 制备 SiC@SiO_2纳米电缆的原料残留物的疏水改性 | 第49-66页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·制备 SiC@SiO_2纳米电缆的原料残留物的微观形貌及结构 | 第50页 |
| ·KH570 疏水改性制备 SiC@SiO_2纳米电缆的原料残留物 | 第50-54页 |
| ·改性剂的用量对残留物的疏水改性的影响 | 第51-53页 |
| ·改性时间对残留物的疏水改性的影响 | 第53-54页 |
| ·Si69 疏水改性制备 SiC@SiO_2纳米电缆的原料残留物 | 第54-57页 |
| ·改性剂的用量对残留物疏水改性的影响 | 第54-56页 |
| ·改性时间对残留物疏水改性的影响 | 第56-57页 |
| ·FAS 疏水改性制备 SiC@SiO_2纳米电缆的原料残留物 | 第57-64页 |
| ·FAS 对残留物疏水改性的机理 | 第57-58页 |
| ·改性剂的用量对残留物疏水改性的影响 | 第58-61页 |
| ·改性时间对残留物疏水改性的影响 | 第61-63页 |
| ·改性温度对残留物疏水改性的影响 | 第63页 |
| ·球磨法改性制备 SiC@SiO_2纳米电缆的原料残留物 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 5 SiC@SiO_2纳米电缆的疏水改性 | 第66-77页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·SiC@SiO_2纳米电缆的微观形貌及结构 | 第66-68页 |
| ·FAS 疏水改性 SiC@SiO_2纳米电缆 | 第68-73页 |
| ·改性时间对 SiC@SiO_2纳米电缆疏水改性的影响 | 第68-72页 |
| ·改性温度对 SiC@SiO_2纳米电缆疏水改性的影响 | 第72-73页 |
| ·具有超疏水特性的 SiC@SiO_2纳米电缆的表征、机理及化学稳定性 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 6 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及获奖目录 | 第88-89页 |
