| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·有机/无机复合器件 | 第10-12页 |
| ·有机物与金属纳米颗粒复合器件 | 第10页 |
| ·有机物与石墨烯等碳基纳米材料复合器件 | 第10-11页 |
| ·有机物与半导体纳米颗粒复合器件 | 第11-12页 |
| ·有机半导体器件中载流子的传输和阻态转变机制 | 第12-16页 |
| ·有机半导体器件中载流子的传输机制 | 第12-13页 |
| ·阻变器件中阻态转变的机制 | 第13-16页 |
| ·材料及器件的表征手段和测试方法 | 第16-17页 |
| ·X-射线衍射分析(X-ray diffraction, XRD) | 第16-17页 |
| ·扫描电子显微镜(Scanning electron microscope, SEM) | 第17页 |
| ·光致发光(Photoluminescence, PL)光谱分析 | 第17页 |
| ·紫外-可见吸收光谱(Ultraviolet and Visible Spectroscopy)分析 | 第17页 |
| ·Keithley 2400 半导体分析仪 | 第17页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 基于 SiO2表面修饰 ZnO 纳米颗粒有机/无机复合阻变存储器件的研究 | 第19-30页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·不同量 SiO2修饰 ZnO 纳米颗粒的制备与表征 | 第19-23页 |
| ·表面修饰 ZnO 纳米颗粒的制备 | 第19-20页 |
| ·不同量 SiO2修饰的 ZnO 纳米颗粒材料的表征 | 第20-23页 |
| ·基于 SiO2表面修饰 ZnO 纳米颗粒的复合阻变器件的研究 | 第23-29页 |
| ·复合阻变存储器件的制备 | 第23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 ZnO 缺陷对 ZnO 纳米棒阵列有机/无机复合阻变存储器件影响机制 | 第30-41页 |
| ·前言 | 第30页 |
| ·ZnO 纳米棒阵列的制备与表征 | 第30-35页 |
| ·ZnO 纳米棒阵列的制备方案 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-35页 |
| ·ZnO 纳米棒缺陷对阻变存储器件性能的影响 | 第35-40页 |
| ·器件的制备 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 PbS 纳米晶修饰的 ZnO 有机/无机复合阻变器件机理研究 | 第41-50页 |
| ·前言 | 第41页 |
| ·PbS 纳米晶的制备和表征 | 第41-44页 |
| ·PbS 纳米晶的制备方案 | 第41-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-44页 |
| ·PbS 纳米晶修饰的 ZnO 纳米晶有机/无机复合阻变器件阻变机制研究 | 第44-49页 |
| ·器件的制备 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·全文总结 | 第50-51页 |
| ·今后工作展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
