| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-40页 |
| ·交换偏置效应简介 | 第12-16页 |
| ·交换偏置效应的发现 | 第12-13页 |
| ·交换偏置效应的解释模型 | 第13-16页 |
| ·交换偏置体系的磁化翻转 | 第16-23页 |
| ·共线交换偏置体系的磁化翻转 | 第17-20页 |
| ·非共线交换偏置体系的磁化翻转 | 第20-23页 |
| ·交换偏置体系的磁锻炼效应 | 第23-31页 |
| ·磁锻炼效应的实验现象 | 第23-24页 |
| ·磁锻炼效应的两种机制：热激发机制和Hoffmann机制 | 第24-26页 |
| ·磁锻炼效应的两种基本类型 | 第26-27页 |
| ·磁锻炼过程中的其它现象 | 第27-29页 |
| ·磁锻炼效应的恢复效应 | 第29-31页 |
| ·磁锻炼效应的时间依赖性 | 第31-33页 |
| ·扫场速率对磁锻炼效应的影响 | 第31页 |
| ·反向饱和阶段停留时间对磁锻炼效应的影响 | 第31-32页 |
| ·正向饱和阶段停留时间对磁锻炼效应的影响 | 第32-33页 |
| ·本论文的主要工作 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-40页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第40-51页 |
| ·薄膜样品的制备工艺 | 第40-44页 |
| ·真空技术 | 第40-41页 |
| ·磁控溅射镀膜技术 | 第41-44页 |
| ·薄膜的测试与表征 | 第44-50页 |
| ·样品结构测试XRD | 第44-46页 |
| ·薄膜厚度的测量双光束干涉 | 第46-47页 |
| ·样品磁性的测量VSM | 第47-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第三章 交换偏置角度依赖的磁化翻转方式的研究 | 第51-70页 |
| ·引言 | 第51-53页 |
| ·Co/FeMn交换偏置双层膜的制备与测量 | 第53-54页 |
| ·样品制备 | 第53页 |
| ·样品的测量 | 第53-54页 |
| ·角度依赖的磁化翻转的实验数据与分析 | 第54-67页 |
| ·单铁磁层的磁化翻转 | 第55-56页 |
| ·Co(4.2nm)/FeMn(4.2nm)双层膜的磁化翻转 | 第56-59页 |
| ·Co(4.2nm)/FeMn(4.8nm)双层膜的磁化翻转 | 第59-62页 |
| ·基于一致转动的数值计算 | 第62-66页 |
| ·分析与讨论 | 第66-67页 |
| 小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第四章 磁锻炼效应的时间依赖性研究 | 第70-92页 |
| ·引言 | 第70-72页 |
| ·交换偏置FeNi/FeMn双层膜的制备与测量 | 第72-75页 |
| ·样品的制备 | 第73页 |
| ·样品的测量 | 第73-75页 |
| ·时间依赖性的实验数据与分析 | 第75-89页 |
| ·在下降支做时间等待 | 第75-78页 |
| ·在反向饱和阶段做时间等待 | 第78-80页 |
| ·在上升支做时间等待 | 第80-81页 |
| ·在正向饱和阶段做时间等待 | 第81-83页 |
| ·分析与讨论 | 第83-87页 |
| ·时间依赖性对反铁磁厚度的依赖关系 | 第87-89页 |
| 小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第五章 磁锻炼效应磁场调制的研究 | 第92-107页 |
| ·引言 | 第92-94页 |
| ·FeNi/FeMn交换偏置薄膜的制备与测量 | 第94-95页 |
| ·磁场调制的实验数据与分析 | 第95-103页 |
| ·下钉扎结构中±90°磁场调制对磁锻炼的影响 | 第95-99页 |
| ·+90°方向不同大小磁场的调制效应 | 第96-97页 |
| ·-90°方向不同大小磁场的调制效应 | 第97-99页 |
| ·对±90°磁场调制效应的解释 | 第99-100页 |
| ·+90°磁场调制对上钉扎和下钉扎结构样品的影响 | 第100-103页 |
| 小结 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 博士阶段发表和待发表的论文 | 第107-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
