| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-25页 |
| ·多晶硅的概述及应用 | 第9-11页 |
| ·国内外多晶硅产业的发展 | 第11-13页 |
| ·多晶硅制备技术 | 第13-17页 |
| ·改良西门子法 | 第13-14页 |
| ·硅烷法 | 第14-15页 |
| ·冶金法 | 第15页 |
| ·流化床法 | 第15-16页 |
| ·汽-液沉积法 | 第16页 |
| ·铝热还原法 | 第16页 |
| ·区域熔化提纯法 | 第16页 |
| ·常压碘化学气相传输净化法 | 第16-17页 |
| ·无氯技术 | 第17页 |
| ·多晶硅 CVD 反应器的研究发展 | 第17-19页 |
| ·计算传递学的研究发展 | 第19-21页 |
| ·计算流体力学的研究进展 | 第19-20页 |
| ·计算传热学的研究进展 | 第20页 |
| ·计算传质学的研究进展 | 第20-21页 |
| ·辐射传热计算模型 | 第21-23页 |
| ·本课题研究的意义 | 第23-25页 |
| 第二章 多晶硅 CVD 反应器 | 第25-35页 |
| ·多晶硅棒的排布方式 | 第27-30页 |
| ·反应器的进出气方式 | 第30-32页 |
| ·反应器的底盘结构 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第三章 多晶硅 CVD 反应器内辐射能耗的数值模拟 | 第35-59页 |
| ·数学模型 | 第36-43页 |
| ·物理模型 | 第36-37页 |
| ·控制方程 | 第37-40页 |
| ·物性参数及边界条件 | 第40-42页 |
| ·网格划分及数值计算方法 | 第42-43页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第43-59页 |
| ·网格独立性分析 | 第44-46页 |
| ·六边形结构的模拟结果及讨论 | 第46-52页 |
| ·圆周结构的模拟结果及讨论 | 第52-55页 |
| ·圆周排布结构与六边形排布结构的比较 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第四章 新型多晶硅 CVD 反应器的数值模拟 | 第59-81页 |
| ·数学模型 | 第63-73页 |
| ·物理模型 | 第63-67页 |
| ·控制方程 | 第67-71页 |
| ·边界条件 | 第71-72页 |
| ·网格划分及数值求解方法 | 第72-73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-79页 |
| ·模型的验证 | 第73-74页 |
| ·流场比较与分析 | 第74-75页 |
| ·温度场比较与分析 | 第75-77页 |
| ·浓度分布比较与分析 | 第77-78页 |
| ·能耗比较与分析 | 第78-79页 |
| ·小结 | 第79-81页 |
| 第五章 新型多晶硅 CVD 反应器底盘结构的数值模拟 | 第81-94页 |
| ·数学模型 | 第81-84页 |
| ·物理模型 | 第81-82页 |
| ·控制方程 | 第82页 |
| ·近壁面区域计算方法 | 第82-84页 |
| ·边界条件 | 第84页 |
| ·网格划分及数值求算方法 | 第84页 |
| ·结果与讨论 | 第84-93页 |
| ·电极套筒大小的影响 | 第85-87页 |
| ·电极套筒与下底板间距大小的影响 | 第87-90页 |
| ·电极套筒与上底板间距大小的影响 | 第90-91页 |
| ·中间隔板与底盘下底板间距的影响 | 第91-93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 第六章 结论与展望 | 第94-97页 |
| ·结论 | 第94-96页 |
| ·展望 | 第96-97页 |
| 符号说明 | 第97-100页 |
| 参考文献 | 第100-107页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第107-109页 |
| 致谢 | 第109页 |