| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·研究背景 | 第10-13页 |
| ·碳化硅纳米管的研究进展 | 第10-11页 |
| ·N型和P型半导体的形成 | 第11-13页 |
| ·论及计算方法 | 第13-17页 |
| ·多粒子体系的第一性原理 | 第13-17页 |
| ·VASP软件介绍 | 第17页 |
| ·本文研究内容及其意义 | 第17-19页 |
| 第2章 VA族掺杂碳化硅纳米管的第一性原理研究 | 第19-40页 |
| ·(9,0)型单壁碳化硅纳米管的第一性原理研究 | 第19-20页 |
| ·结构优化 | 第19-20页 |
| ·(9,0)型单壁碳化硅纳米管的能带结构 | 第20页 |
| ·N掺杂碳化硅纳米管的第一性原理研究 | 第20-24页 |
| ·计算模型及方法 | 第20-21页 |
| ·晶体结构和电子结构研究 | 第21-23页 |
| ·电子结构成因分析 | 第23-24页 |
| ·P掺杂碳化硅纳米管的第一性原理研究 | 第24-28页 |
| ·计算模型及方法 | 第24-25页 |
| ·晶体结构和电子结构研究 | 第25-27页 |
| ·电子结构成因分析 | 第27-28页 |
| ·As掺杂碳化硅纳米管的第一性原理研究 | 第28-34页 |
| ·计算模型及方法 | 第28-30页 |
| ·晶体结构和电子结构研究 | 第30-32页 |
| ·电子结构分析 | 第32-34页 |
| ·Sb掺杂碳化硅纳米管的第一性原理研究 | 第34-40页 |
| ·晶体结构 | 第34-35页 |
| ·电子结构 | 第35-37页 |
| ·Sb掺杂(9,0)型碳化硅纳米管电子结构成因分析 | 第37-40页 |
| 第三章 VA族元素掺杂碳化硅纳米管的性能研究 | 第40-45页 |
| ·掺杂原子半径对结构性质影响的分析 | 第40-41页 |
| ·形成能计算分析 | 第41-42页 |
| ·电负性对掺杂结构电子性质的影响分析 | 第42-45页 |
| 结论与展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第51页 |