| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第11-12页 |
| ·光衰减器技术发展水平与现状 | 第12-14页 |
| ·国内外光衰减器的研究现状 | 第12-13页 |
| ·光衰减器的种类 | 第13-14页 |
| ·磁控溅射技术及化学镀技术在国内外的研究进展 | 第14-16页 |
| ·磁控溅射技术在国内外的发展及应用 | 第14-15页 |
| ·化学镀膜技术在国内外的发展及应用 | 第15-16页 |
| ·课题来源与研究内容 | 第16-17页 |
| ·课题来源 | 第16页 |
| ·研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 实验方案与研究方法 | 第17-27页 |
| ·实验材料及仪器 | 第17-19页 |
| ·实验材料 | 第17-18页 |
| ·实验仪器 | 第18-19页 |
| ·化学镀镍实验方案 | 第19-21页 |
| ·化学镀实验方案 | 第19-20页 |
| ·化学镀工艺流程 | 第20-21页 |
| ·磁控溅射镍膜的实验方案 | 第21-24页 |
| ·磁控溅射装置 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射实验方案 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射工艺流程 | 第23-24页 |
| ·研究方法 | 第24-26页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第24页 |
| ·SEM 扫描分析 | 第24-25页 |
| ·体视显微分析 | 第25页 |
| ·DF 原子力显微分析 | 第25页 |
| ·薄膜与基体的结合力及耐摩擦性能分析 | 第25页 |
| ·光衰减性能分析 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 磁控溅射和化学镀制备 Ni/SiO_2光衰减片机理分析及特性比较 | 第27-36页 |
| ·化学镀制备 Ni 膜机理分析 | 第27页 |
| ·磁控溅射法制备 Ni 膜机理分析 | 第27-31页 |
| ·磁控溅射机理 | 第27-28页 |
| ·磁控溅射成膜机理 | 第28-31页 |
| ·磁控溅射和化学镀制备 Ni/SiO_2光衰减片的特性比较 | 第31-35页 |
| ·外观比较 | 第31-32页 |
| ·两种镀膜方法所镀 Ni 膜结晶状态的比较 | 第32页 |
| ·Ni 膜表面形貌比较 | 第32-34页 |
| ·Ni 膜与基体结合情况及耐摩擦性能的比较 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 工艺参数对膜层组织结构、平整性及光衰减性的影响 | 第36-50页 |
| ·溅射功率对 Ni 膜表面形貌及组织结构的影响 | 第36-39页 |
| ·溅射功率对 Ni 膜表面形貌的影响 | 第36-38页 |
| ·溅射功率对 Ni 膜微结构及平整度的影响 | 第38-39页 |
| ·溅射气压对 Ni 膜沉积速率和晶粒尺寸的影响 | 第39-43页 |
| ·溅射气压对 Ni 膜沉积速率的影响 | 第39-41页 |
| ·溅射气压对镍膜晶粒尺寸的影响 | 第41-43页 |
| ·溅射时间对 Ni 膜表面形貌及膜层成分的影响 | 第43-44页 |
| ·Ni/SiO_2光衰减片光衰减性能及机理研究 | 第44-49页 |
| ·不同工艺参数对 Ni/SiO_2光衰减片光衰减性能的影响 | 第44-48页 |
| ·Ni/SiO_2光衰减片光衰减机理 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 基于 SRIM 的磁控溅射过程模拟 | 第50-55页 |
| ·溅射镍靶过程中 Ar+的能量损失及射程 | 第50-52页 |
| ·不同能量的 Ar+撞击靶材后的位置分布状态 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
