| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·半导体激光器研究进展及其应用 | 第7-10页 |
| ·砷化物欧姆接触研究进展 | 第10-11页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ族GaAs材料特性及欧姆接触原理 | 第12-28页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 | 第12-13页 |
| ·砷化物材料的性质 | 第13-18页 |
| ·金属半导体接触势垒的形成 | 第18-24页 |
| ·金属与半导体接触的电流输运机理 | 第24-26页 |
| ·接触电阻 | 第26-28页 |
| 第三章 GaAs基半导体激光器欧姆接触的工艺制备 | 第28-37页 |
| ·实验设计方案 | 第28-29页 |
| ·欧姆接触的测量方法 | 第29-31页 |
| ·制备欧姆接触的RTLM测试图形步骤 | 第31-32页 |
| ·欧姆接触工艺具体制作流程 | 第32-37页 |
| 第四章 快速热退火工艺制备结果的分析及半导体激光器器件制备 | 第37-45页 |
| ·测量值误差分析 | 第37-38页 |
| ·测量结果的电性能分析 | 第38-39页 |
| ·金属合金系统经快速热退火后的物理化学变化分析 | 第39-40页 |
| ·快速热退火样品表面形貌特性的分析 | 第40-43页 |
| ·高功率808nm半导体激光器器件制备 | 第43-45页 |
| 第五章 结论与展望 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |