| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| ·太赫兹光场与相关应用 | 第10-11页 |
| ·太赫兹调制下半导体量子阱的子带跃迁特性 | 第11-12页 |
| ·太赫兹调制下的半导体量子阱系统的研究进展 | 第12-13页 |
| ·微腔系统及腔量子电动力学概述 | 第13-15页 |
| 第2章 太赫兹调制半导体量子阱的光吸收特性及电磁诱导透明现象 | 第15-24页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第16-17页 |
| ·数值结果和讨论 | 第17-23页 |
| ·弱耦合及电磁诱导透明现象 | 第18-20页 |
| ·强耦合 | 第20-23页 |
| ·结论 | 第23-24页 |
| 第3章 双太赫兹调制不对称双量子阱的光吸收特性 | 第24-33页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·理论模型与计算方法 | 第25-27页 |
| ·数值结果与分析 | 第27-32页 |
| ·结论 | 第32-33页 |
| 第4章 边带峰的 A-T 分裂和量子斯塔克效应 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·系统哈密顿量及计算方法 | 第33-35页 |
| ·数值结果与讨论 | 第35-41页 |
| ·边带吸收峰的 A-T 分裂 | 第35-38页 |
| ·边带吸收峰的量子斯塔克效应 | 第38-41页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| 第5章 结论与展望 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第48页 |