| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·非易失性存储器的种类及RRAM的特点 | 第10-12页 |
| ·电阻式随机存储器(RRAM)的研究现状 | 第12-18页 |
| ·阻变存储器电阻转变机理的研究现状 | 第12-17页 |
| ·各种对于器件性能进行改善的方法 | 第17-18页 |
| ·本文的研究内容和意义 | 第18-20页 |
| 2 Ag/TiO_2/Ag异质结的阻变特性 | 第20-30页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·实验制备和表征 | 第20-25页 |
| ·靶材制备与表征 | 第20-21页 |
| ·薄膜制备 | 第21-22页 |
| ·顶电极制备 | 第22-23页 |
| ·样品的表征 | 第23-25页 |
| ·样品测试 | 第25-28页 |
| ·四种不同结构阻变层异质结的I-V特性研究 | 第25-26页 |
| ·四种不同结构阻变层的Ag/TiO2/Pt异质结的保持性和疲劳性研究 | 第26-28页 |
| ·机理分析 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 3 Au纳米颗粒对Ag/TiO_2/Pt异质结阻变性能的影响 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验方法 | 第30-31页 |
| ·样品测试与表征 | 第31-36页 |
| ·不同Au溅射时间的Ag/TiO2/Au(nanodots)/Pt异质结的I-V特性研究 | 第31-34页 |
| ·不同Au沉积时间Ag/TiO2/Au(nanodots)/Pt异质结的保持性和疲劳性研究 | 第34-36页 |
| ·机理分析 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 4 总结与展望 | 第39-41页 |
| ·论文总结 | 第39页 |
| ·展望与建议 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
