| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-18页 |
| ·课题研究背景及来源 | 第13-14页 |
| ·国内外研究状况 | 第14-16页 |
| ·国内外研究热点概述 | 第14-15页 |
| ·SRAM存储单元相关研究发展趋势 | 第15-16页 |
| ·主要工作与创新点 | 第16-17页 |
| ·论文组织结构 | 第17-18页 |
| 第2章 经典亚阈值存储单元结构介绍及传统6管存储单元性能分析 | 第18-38页 |
| ·SRAM基本架构描述 | 第18-19页 |
| ·几种具有代表性的SRAM存储单元结构介绍 | 第19-26页 |
| ·10T双字线结构存储单元 | 第19-21页 |
| ·10T P-P-N结构存储单元 | 第21-22页 |
| ·6T单端读写结构存储单元 | 第22-23页 |
| ·8T大尺寸读写分离结构存储单元 | 第23-25页 |
| ·9T内部自切断结构存储单元 | 第25-26页 |
| ·传统6管存储单元性能分析 | 第26-38页 |
| ·电路结构 | 第26-27页 |
| ·工作原理 | 第27-30页 |
| ·稳定性定义及仿真方法 | 第30-37页 |
| ·优缺点分析 | 第37-38页 |
| 第3章 部分动态闽值电压调节技术介绍及性能分析 | 第38-57页 |
| ·部分动态阈值电压调节技术(PDT)基本介绍 | 第39-41页 |
| ·部分动态阈值电压调节技术的密度和可靠性分析 | 第41-57页 |
| ·常规反相器、DT反相器以及PDT反相器的电压转换特征曲线仿真 | 第42-46页 |
| ·传统结构6管存储单元,采用DT技术6管存储单元以及采用PDT技术6管存储单元性能仿真 | 第46-55页 |
| ·常规反相器、DT反相器以及PDT反相器可靠性分析 | 第55-57页 |
| 第4章 采用部分动态阈值电压调节技术的亚阈值存储单元设计 | 第57-88页 |
| ·本论文设计的8T存储单元基本结构与工作原理介绍 | 第57-59页 |
| ·本论文设计的8T存储单元稳定性仿真 | 第59-63页 |
| ·本论文设计的8管存储单元读写速度仿真 | 第63-70页 |
| ·本论文设计的8管存储单元静态功耗仿真 | 第70-77页 |
| ·本论文设计的8管存储单元动态功耗仿真 | 第77-88页 |
| 第5章 总结和展望 | 第88-91页 |
| ·工作总结 | 第88-90页 |
| ·未来工作展望 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
