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不同缓冲层对坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻的影响

中文摘要第1-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第10-16页
   ·磁电阻效应第10-12页
     ·正常磁电阻效应(OMR)第10页
     ·各向异性磁电阻效应(AMR)第10-11页
     ·巨磁电阻效应(GMR)第11-12页
     ·隧道磁电阻效应(TMR)第12页
   ·各向异性磁电阻的研究意义第12-13页
   ·国内外研究现状第13-14页
   ·本文研究目的和主要研究内容第14-16页
     ·研究目的第14-15页
     ·主要研究内容第15-16页
第二章 薄膜的制备与测试第16-29页
   ·溅射镀膜第16页
   ·磁控溅射第16-21页
     ·直流(DC)磁控溅射第17页
     ·射频(RF)磁控溅射第17-18页
     ·磁控溅射系统介绍第18-21页
   ·各向异性磁电阻的测量第21-23页
   ·X 射线衍射(XRD)测试第23-24页
   ·原子力显微镜(AFM)第24页
   ·薄膜制备第24-26页
     ·基片清洗第24-25页
     ·装靶第25页
     ·确定溅射速率(定标)第25-26页
     ·镀膜过程第26页
   ·实验设计方案第26-29页
第三章 坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的研究第29-44页
   ·缓冲层 NiFeNb 对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响第29-38页
     ·引言第29页
     ·实验第29-30页
     ·缓冲层(Ni81Fe19)1-xNbx中 Nb 原子的百分含量 x 对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响第30-32页
     ·缓冲层厚度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响第32-34页
     ·基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响第34-36页
     ·不同 Ni81Fe19厚度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响第36-37页
     ·结论第37-38页
   ·ZnO 层对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻影响的研究第38-44页
     ·引言第38页
     ·实验第38-39页
     ·氧化层(ZnO)厚度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响第39-41页
     ·基片温度对插入 ZnO 层的坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响第41-43页
     ·结论第43-44页
第四章 总结第44-46页
   ·本论文的已完成的工作第44-45页
   ·今后工作的建议第45-46页
参考文献第46-51页
攻读硕士学位期间发表的文章第51-52页
致谢第52页

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