| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| ·引言 | 第13-16页 |
| ·自旋电子材料的研究进展 | 第16-28页 |
| ·ZB型过渡金属硫化物和磷化物半金属的研究进展 | 第20-24页 |
| ·ZnO基稀磁半导体的研究进展 | 第24-28页 |
| ·研究依据、意义、目的和研究内容 | 第28-31页 |
| ·研究依据、意义和目的 | 第28页 |
| ·研究内容 | 第28-31页 |
| 第二章 第一性原理及二维应变的模拟方法 | 第31-52页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·密度泛函理论 | 第32-36页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第32-35页 |
| ·Kohn-Sham（KS）方程 | 第35-36页 |
| ·交换关联能泛函 | 第36-39页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第37-38页 |
| ·广义梯度近似（GGA） | 第38-39页 |
| ·LDA+U或GGA+U（原子占据位库仑排斥项） | 第39页 |
| ·赝势方法以及PAW方法 | 第39-45页 |
| ·结构优化 | 第45-46页 |
| ·电子结构的自洽求解 | 第46-47页 |
| ·二维应变方法的模拟 | 第47-52页 |
| 第三章 二维应变对过渡金属掺杂ZB结构ZnO和GaAs半金属性的影响 | 第52-67页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·计算细节与模型 | 第53-54页 |
| ·结果分析和讨论 | 第54-65页 |
| ·GGA计算结果分析 | 第55-61页 |
| ·GGA+U计算结果分析 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 二维应变对ZB结构ZnO和GaAs中本征缺陷的影响 | 第67-83页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·计算模型与理论方法 | 第68-72页 |
| ·缺陷形成能的计算方法 | 第70-71页 |
| ·缺陷的过渡能级计算方法 | 第71页 |
| ·二维应变的定义 | 第71-72页 |
| ·计算结果分析和讨论 | 第72-81页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第72-75页 |
| ·GaAs中的本征缺陷 | 第75-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 锂电池材料LiTiPO5和LiTi2(PO4)3中氧空位的理论研究 | 第83-94页 |
| ·引言 | 第83-84页 |
| ·计算细节及模型 | 第84-85页 |
| ·结果分析和讨论 | 第85-92页 |
| ·LiTiPO5和LiTi2(PO4)3的晶体结构优化 | 第85-87页 |
| ·LiTiPO5和LiTi2(PO4)3的氧空位缺陷研究 | 第87-89页 |
| ·氧空位缺陷对放电电压的影响 | 第89-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第94-98页 |
| ·主要结论 | 第94-96页 |
| ·创新与展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-113页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 附件 | 第115页 |
