| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-22页 |
| ·硒及金属硒化物概述 | 第9-10页 |
| ·金属硒化物的制备 | 第10-18页 |
| ·金属硒化物薄膜的制备 | 第10-15页 |
| ·金属硒化物纳米材料的制备 | 第15-18页 |
| ·电化学沉积法制备金属硒化物的研究进展 | 第18-20页 |
| ·主族金属硒化物的电沉积 | 第19页 |
| ·副族金属硒化物的电沉积 | 第19-20页 |
| ·多元金属硒化物的电沉积 | 第20页 |
| ·选题目标和研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 实验方法 | 第22-27页 |
| ·实验试剂 | 第22页 |
| ·实验仪器 | 第22-23页 |
| ·实验过程 | 第23-25页 |
| ·溶液的配制 | 第23页 |
| ·工作电极的制备 | 第23-24页 |
| ·循环伏安测试与电沉积制备 | 第24-25页 |
| ·检测表征 | 第25-27页 |
| ·X射线能谱分析(EDX) | 第25页 |
| ·扫描电镜分析(SEM) | 第25页 |
| ·高分辨透射电镜分析(HRTEM) | 第25页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第25-26页 |
| ·拉曼分析(RAMAN) | 第26页 |
| ·光电化学测试分析(PEC) | 第26页 |
| ·紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR) | 第26-27页 |
| 第三章 铜镓硒的电沉积制备及结构表征 | 第27-49页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·Cu-Ga-Se溶液体系的电化学分析 | 第28-29页 |
| ·CuGaSe_2薄膜的电沉积制备及其工艺优化 | 第29-42页 |
| ·沉积电位对CuGaSe_2薄膜成分和形貌的影响 | 第29-32页 |
| ·沉积温度对CuGaSe_2薄膜成分和形貌的影响 | 第32-34页 |
| ·溶液pH值对CuGaSe_2薄膜成分和形貌的影响 | 第34-35页 |
| ·络合剂KSCN浓度对CuGaSe_2薄膜成分和形貌的影响 | 第35-37页 |
| ·主盐浓度对CuGaSe_2薄膜成分及形貌的影响 | 第37-42页 |
| ·电沉积CuGaSe_2薄膜的热处理研究 | 第42-47页 |
| ·CuGaSe_2薄膜的快速热处理工艺 | 第42-43页 |
| ·快速热处理对CuGaSe_2薄膜成分及形貌的影响 | 第43页 |
| ·快速热处理对CuGaSe_2薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| ·CuGaSe_2薄膜的光学与电学性质表征 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 硒化铋的电沉积制备及其结构表征 | 第49-61页 |
| ·Bi_2Se_3电沉积的电化学行为研究 | 第49-53页 |
| ·循环伏安曲线分析 | 第49-51页 |
| ·i-t瞬态曲线分析 | 第51-53页 |
| ·Bi_2Se_3纳米线退火前后比较与分析 | 第53-57页 |
| ·退火前后形貌及成分的比较与分析 | 第53-55页 |
| ·退火前后物相结构比较与分析 | 第55-57页 |
| ·表面活性剂对Bi_2Se_3纳米线的影响 | 第57-59页 |
| ·表面活性剂对纳米线形貌及成分的影响 | 第57-59页 |
| ·表面活性剂对纳米线结构的影响 | 第59页 |
| ·本章结论 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 | 第76页 |
