溶胶—凝胶法制备低维GaN纳米材料
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| ·纳米材料的研究概述 | 第8-12页 |
| ·纳米材料的分类及制备方法 | 第8-10页 |
| ·纳米材料基本特性 | 第10-12页 |
| ·GaN材料的研究意义 | 第12-17页 |
| ·GaN的基本性质 | 第12-13页 |
| ·GaN粉体与体单晶的研究现状 | 第13-14页 |
| ·GaN薄膜和低维GaN纳米材料的研究现状 | 第14页 |
| ·GaN材料生长技术 | 第14-16页 |
| ·GaN材料的掺杂 | 第16-17页 |
| ·GaN基材料的应用前景 | 第17-18页 |
| ·本文研究内容 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 2 溶胶-凝胶法制备氮化镓纳米晶与纳米线 | 第20-44页 |
| ·溶胶-凝胶法简介 | 第20-22页 |
| ·溶胶-凝胶法的制备工艺 | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法的基本原理 | 第21-22页 |
| ·溶胶-凝胶法的优点 | 第22页 |
| ·实验设备简介 | 第22-23页 |
| ·实验仪器与实验药品 | 第22-23页 |
| ·反应系统 | 第23页 |
| ·样品的测试和表征技术 | 第23-27页 |
| ·结构和成分的表征 | 第23-25页 |
| ·表观形貌的表征 | 第25-27页 |
| ·光学特性的测试 | 第27页 |
| ·溶胶-凝胶法制备氮化镓纳米晶 | 第27-32页 |
| ·实验过程 | 第27-28页 |
| ·实验结果与讨论 | 第28-32页 |
| ·GaN微晶生长机制的理论分析 | 第32页 |
| ·溶胶-凝胶法制备氮化稼纳米线 | 第32-40页 |
| ·实验过程 | 第32-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-37页 |
| ·最佳制备条件下的一维GaN纳米材料的表征分析 | 第37-40页 |
| ·GaN纳米线的生长机制分析 | 第40-42页 |
| ·一维GaN纳米材料的主要生长机理 | 第40-41页 |
| ·GaN纳米线的生长机理分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 3 团簇的密度泛函理论计算 | 第44-54页 |
| ·团簇简介 | 第44-45页 |
| ·团簇的研究意义 | 第44页 |
| ·团簇的基本性质 | 第44-45页 |
| ·团簇的理论计算方法 | 第45-47页 |
| ·半经验算法 | 第45页 |
| ·从头计算方法 | 第45-46页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第46-47页 |
| ·本文的计算方法 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-53页 |
| ·几何结构 | 第47-50页 |
| ·热力学性质与光电子能谱 | 第50-52页 |
| ·基态结构的稳定性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 4 总结与展望 | 第54-56页 |
| ·本论文的主要研究结果 | 第54-55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录 | 第62页 |
