GaN基光伏型MSM结构紫外探测器研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·GaN材料应用于紫外光电探测的背景 | 第9-10页 |
| ·GaN基紫外探测器研究进展 | 第10-13页 |
| ·光导型PD | 第10-11页 |
| ·光伏型PD | 第11-13页 |
| ·课题研究意义 | 第13-15页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 GaN基MSM型紫外探测器 | 第16-27页 |
| ·MSM型探测器的器件结构和工作原理 | 第16-19页 |
| ·光电探测器主要参数及其物理意义 | 第19-21页 |
| ·MSM光电探测器结构与各参量之间的关系研究 | 第21-26页 |
| ·电极结构与时间常数的关系 | 第21-23页 |
| ·量子效率 | 第23-25页 |
| ·有源层参数的影响 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 具有不对称电极结构的MSM型紫外探测器 | 第27-42页 |
| ·电流模型 | 第27-33页 |
| ·肖特基结构电流特性 | 第27-31页 |
| ·MSM型探测器解析暗电流传输模型 | 第31-33页 |
| ·具有不对称功函数金属电极MSM型光电探测器 | 第33-38页 |
| ·理论和模拟 | 第33-35页 |
| ·模拟结果分析 | 第35-38页 |
| ·具有不对称接触面积金属电极MSM型光电探测器 | 第38-41页 |
| ·理论和模拟 | 第38-39页 |
| ·模拟结果分析 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 具有肖特基势垒增强层的MSM型紫外探测器 | 第42-53页 |
| ·肖特基势垒增强理论和技术 | 第42-45页 |
| ·具有势垒增强层GaN基MSM型光电探测器 | 第45-52页 |
| ·模拟计算所采用的器件结构和参数 | 第45-46页 |
| ·外加p-GaN层对器件暗电流的影响 | 第46-47页 |
| ·p-GaN层厚度、浓度等参数对器件暗电流的影响 | 第47-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 GaN基MSM型紫外探测器光响应特性 | 第53-62页 |
| ·模型建立 | 第53-58页 |
| ·光电流模型 | 第53-56页 |
| ·陷阱影响 | 第56-57页 |
| ·总电流和响应度 | 第57-58页 |
| ·模型验证与讨论 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
