| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-16页 |
| 第2章 低噪声放大器设计基础 | 第16-28页 |
| ·低噪声放大器的主要性能参数 | 第16-22页 |
| ·阻抗匹配 | 第16-17页 |
| ·二端口网络及S参数 | 第17-19页 |
| ·增益 | 第19-20页 |
| ·噪声系数 | 第20-21页 |
| ·线性度 | 第21页 |
| ·稳定性 | 第21-22页 |
| ·射频集成电路中的元器件 | 第22-26页 |
| ·电阻 | 第23页 |
| ·电容 | 第23-24页 |
| ·电感 | 第24-25页 |
| ·BiCMOS工艺中的SiGe HBT | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 SiGe HBT线性度分析及新型双有源偏置结构设计 | 第28-40页 |
| ·SiGe HBT的非线性相消机制及其线性特性主要影响因素gm | 第28-32页 |
| ·SiGe HBT的主要非线性因素及其非线性相消机制 | 第28-31页 |
| ·非线性跨导gm对SiGe HBT线性特性的影响 | 第31-32页 |
| ·用于改善SiGe HBT LNA线性度的新型双有源偏置结构设计 | 第32-37页 |
| ·本章小结 | 第37-40页 |
| 第4章 基于新型双有源偏置结构的高线性宽带SiGe HBT低噪声放大器设计 | 第40-56页 |
| ·基于新型双有源偏置结构的高线性宽带SiGe HBT LNA的结构设计 | 第40-47页 |
| ·低噪声放大器的结构选择 | 第40-42页 |
| ·带宽的拓展 | 第42-45页 |
| ·阻抗匹配 | 第45-47页 |
| ·基于新型双有源偏置结构的高线性宽带SiGe HBT LNA的性能参数 | 第47-51页 |
| ·线性度 | 第47-48页 |
| ·增益 | 第48-49页 |
| ·匹配与隔离 | 第49页 |
| ·噪声系数 | 第49-50页 |
| ·稳定性 | 第50-51页 |
| ·基于新型双有源偏置结构的高线性宽带SiGe HBT LNA的版图设计 | 第51-55页 |
| ·版图设计规则 | 第51-53页 |
| ·版图布局优化的主要考虑 | 第53-54页 |
| ·新型双有源偏置高线性宽带SiGe HBT LNA版图 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
