| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 引言 | 第8-14页 |
| 1、硅纳米晶存储器是下一代非挥发存储器的重要候选 | 第8-9页 |
| 2、硅纳米晶存储器可靠性研究概述 | 第9-10页 |
| 3、本论文主要工作与写作安排 | 第10-11页 |
| 4、本章节参考文献 | 第11-14页 |
| 第一章 、电荷俘获存储技术 | 第14-36页 |
| ·、电荷俘获存储技术 | 第14-21页 |
| ·、CTM的基本结构及类型 | 第14-16页 |
| ·、介质存储工程 | 第16-19页 |
| ·、纳米晶存储工程 | 第19-21页 |
| ·、非挥发存储器的电荷输运机理 | 第21-26页 |
| ·、直接隧穿 | 第21-22页 |
| ·、Fowler-Nordheim隧穿 | 第22-24页 |
| ·、沟道热电子注入 | 第24-25页 |
| ·、各种电荷输运机制的比较 | 第25-26页 |
| ·、评价存储器性能的主要指标 | 第26-29页 |
| ·、本章节参考文献 | 第29-36页 |
| 第二章 、硅纳米晶存储器 | 第36-76页 |
| ·、硅纳米晶存储器研究进展 | 第36-38页 |
| ·、硅纳米晶非挥发存储器件工艺制备简介 | 第38-41页 |
| ·、硅纳米晶生长工艺简介 | 第38-40页 |
| ·、硅纳米晶成核机理 | 第40-41页 |
| ·、硅纳米晶存储器件的主要结构、工艺流程及工作原理 | 第41-50页 |
| ·、1T硅纳米晶存储器 | 第41-45页 |
| ·、1.5T结构硅纳米晶存储器 | 第45-48页 |
| ·、2T结构硅纳米晶存储器 | 第48-50页 |
| ·、硅纳米晶存储器电学特性表征方法 | 第50-71页 |
| ·、本章小结 | 第71页 |
| ·、本章节参考文献 | 第71-76页 |
| 第三章 、硅纳米晶存储器耐受特性退化机制研究 | 第76-90页 |
| ·、硅纳米晶存储器耐受特性研究进展 | 第76-78页 |
| ·、硅纳米晶存储器耐受特性退化机理研究 | 第78-88页 |
| ·、不同FN应力条件下的耐受特性退化 | 第78-81页 |
| ·、电荷泵方法对界面陷阱产生的研究 | 第81-85页 |
| ·、中带电压法对耐受特性退化的研究 | 第85-88页 |
| ·、本章小结 | 第88页 |
| ·、本章节参考文献 | 第88-90页 |
| 第四章 、硅纳米晶存储器FN应力所致界面态退化机制研究 | 第90-106页 |
| ·、CV法提取平均界面态密度 | 第90-97页 |
| ·、电荷法提取界面态密度能级分布 | 第97-100页 |
| ·、准静态CV-高频CV法提取界面态密度能级分布 | 第100-104页 |
| ·、本章小节 | 第104-105页 |
| ·、本章节参考文献 | 第105-106页 |
| 第五章 、硅纳米晶存储器可靠性优化 | 第106-118页 |
| ·、操作技术优化的研究工作 | 第106-108页 |
| ·、新编程方法的提出 | 第108-110页 |
| ·、新编程方法工作机理 | 第110-112页 |
| ·、采用新编程方法的性能表征 | 第112-116页 |
| ·、本章小节 | 第116-117页 |
| ·、本章节参考文献 | 第117-118页 |
| 第六章 、结论 | 第118-120页 |
| ·、论文的主要成果与创新点 | 第118-119页 |
| ·、对未来研究工作的展望 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和专利目录 | 第122-123页 |