| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-18页 |
| ·高介电常数材料 | 第11-13页 |
| ·介电常数 | 第11页 |
| ·等效栅氧化层厚度 | 第11-12页 |
| ·高K材料的选取 | 第12页 |
| ·二氧化铪的理论研究 | 第12-13页 |
| ·硅纳米线 | 第13-16页 |
| ·硅纳米线的制备、表征、性能 | 第13-14页 |
| ·硅纳米线的力学性质 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第18-36页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-29页 |
| ·多粒子体系的Schrodinger方程 | 第18-19页 |
| ·Born-Oppenheimer近似 | 第19-20页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第20-22页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| ·交换关联势 | 第23-25页 |
| ·Kohn-Sham方程的求解 | 第25-29页 |
| ·相关算法 | 第29-32页 |
| ·力与应力 | 第29-30页 |
| ·数值算法 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第三章 钇掺杂对二氧化铪结构和缺陷性质的影响 | 第36-56页 |
| ·二氧化铪的晶体结构 | 第36-39页 |
| ·相图 | 第36-37页 |
| ·研究进展 | 第37-39页 |
| ·研究方法 | 第39-41页 |
| ·状态方程 | 第39-40页 |
| ·缺陷形成能 | 第40-41页 |
| ·电离能 | 第41页 |
| ·结果和讨论 | 第41-49页 |
| ·钇掺杂对立方相二氧化铪结构的稳定 | 第41-44页 |
| ·钇掺杂对氧空位行为的影响 | 第44-49页 |
| ·小结 | 第49-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 第四章 二氧化铪的表面弛豫和表面磁性 | 第56-78页 |
| ·研究背景 | 第56-57页 |
| ·研究体系 | 第57页 |
| ·研究方法 | 第57-59页 |
| ·结果和讨论 | 第59-73页 |
| ·体相结构的计算结果 | 第59-60页 |
| ·表面能 | 第60-64页 |
| ·表面弛豫 | 第64-66页 |
| ·表面电子结构 | 第66页 |
| ·表面磁性 | 第66-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第五章 非晶相二氧化铪-硅界面的原子构型和电子结构性质 | 第78-90页 |
| ·研究背景 | 第78页 |
| ·研究方法 | 第78-79页 |
| ·非晶相二氧化铪 | 第79-82页 |
| ·模型的构建 | 第79页 |
| ·模型的结构分析 | 第79-82页 |
| ·界面的原子构型和电子结构 | 第82-84页 |
| ·能带偏移值的计算 | 第84-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 第六章 硅纳米线的拉伸力学行为 | 第90-102页 |
| ·研究背景 | 第90页 |
| ·研究方法 | 第90-91页 |
| ·参数设置 | 第90-91页 |
| ·初始结构的选取 | 第91页 |
| ·准静态的拉伸过程 | 第91页 |
| ·结果和讨论 | 第91-97页 |
| ·小结 | 第97-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 发表文章目录 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |