| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·立方氮化硼（c-BN）的发展 | 第10页 |
| ·BN的几种异构体 | 第10-12页 |
| ·c-BN的结构与应用 | 第12-15页 |
| ·c-BN的结构与性质 | 第12-13页 |
| ·c-BN的机械应用 | 第13-14页 |
| ·c-BN的光电应用 | 第14-15页 |
| ·c-BN薄膜的制备研究 | 第15-21页 |
| ·PVD方法制备c-BN薄膜 | 第16-19页 |
| ·CVD方法制备c-BN薄膜 | 第19-21页 |
| ·c-BN薄膜的生长机理 | 第21-23页 |
| ·选择溅射模型 | 第21页 |
| ·热峰模型 | 第21-22页 |
| ·压应力相变模型 | 第22页 |
| ·亚表面注入模型 | 第22-23页 |
| ·c-BN薄膜微结构的研究 | 第23-24页 |
| ·本论文的研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 薄膜制备与表征 | 第26-42页 |
| ·ECR CVD沉积系统 | 第26-31页 |
| ·ECR CVD系统的工作原理及特点 | 第27-28页 |
| ·ECR CVD系统的基本组成 | 第28-30页 |
| ·ECR CVD制备c-BN薄膜 | 第30页 |
| ·热丝辅助ECR CVD系统 | 第30-31页 |
| ·ECR CVD系统中引入BF 3反应气体 | 第31-35页 |
| ·CVD法制备c-BN薄膜采用的气体 | 第31-33页 |
| ·BF_3反应气体在c-BN薄膜制备中的作用 | 第33-35页 |
| ·薄膜的测试技术与表征 | 第35-40页 |
| ·FTIR光谱表征 | 第35-37页 |
| ·拉曼表征 | 第37-38页 |
| ·紫外表征 | 第38-39页 |
| ·XRD表征 | 第39-40页 |
| ·膜厚与样品均匀性检测 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第3章 立方氮化硼的工艺研究 | 第42-72页 |
| ·实验材料的准备 | 第42页 |
| ·实验过程 | 第42-43页 |
| ·工艺条件与薄膜性能 | 第43-57页 |
| ·H_2气对薄膜的影响 | 第44-46页 |
| ·热丝对薄膜的影响 | 第46-47页 |
| ·微波功率对薄膜的影响 | 第47-48页 |
| ·N_2气对薄膜的影响 | 第48-53页 |
| ·衬底偏压及多步法对薄膜制备的影响 | 第53-57页 |
| ·采用BF_3-Ar-He-N_2 气体系统沉积制备薄膜 | 第57-68页 |
| ·偏压对制备薄膜的影响 | 第58-62页 |
| ·微波功率对沉积薄膜的影响 | 第62-63页 |
| ·沉积时间对薄膜的影响 | 第63-64页 |
| ·气体流量比对薄膜的影响 | 第64-65页 |
| ·气体压强对沉积薄膜的影响 | 第65-68页 |
| ·c-BN薄膜的沉积机理 | 第68-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第4章 BN薄膜的LBL沉积和退火研究 | 第72-100页 |
| ·BN薄膜的LBL工艺研究 | 第72-77页 |
| ·LBL方法沉积制备BN薄膜 | 第72-74页 |
| ·室温条件下LBL法沉积制备BN薄膜 | 第74-77页 |
| ·BN的相转变 | 第77-82页 |
| ·c-BN到h-BN的转变 | 第78-79页 |
| ·h-BN到c-BN的转变 | 第79-80页 |
| ·h-BN到c-BN的相变影响因素 | 第80-82页 |
| ·BN薄膜的退火研究 | 第82-93页 |
| ·样品不同温度的退火研究 | 第83-91页 |
| ·样品单一温度的退火研究 | 第91-92页 |
| ·BN退火的相变路径 | 第92-93页 |
| ·BN薄膜的光学研究 | 第93-98页 |
| ·利用反射谱图计算带隙 | 第93-96页 |
| ·利用反射谱和透射谱图计算带隙 | 第96-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 结论 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-112页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |