| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-14页 |
| 前言 | 第14-15页 |
| 第一章 文献综述 | 第15-47页 |
| ·高密度信息存储技术 | 第15-26页 |
| ·磁存储领域 | 第15页 |
| ·光存储领域 | 第15-19页 |
| ·基于SPM的超高密度信息存储技术 | 第19-24页 |
| ·多探针扫描存储技术 | 第24-26页 |
| ·基于SPM技术的有机或有机复合信息存储材料 | 第26-42页 |
| ·金属有机复合膜(Cu-TCNQ，Ag-TCNQ等) | 第26-28页 |
| ·有机复合材料 | 第28-32页 |
| ·有机单体材料 | 第32-39页 |
| ·多重响应的有机信息存储材料 | 第39-42页 |
| ·论文选题的目的意义 | 第42-47页 |
| 第二章 一种非线性光学材料在超高密度电学信息存储中的应用研究 | 第47-54页 |
| ·实验部分 | 第47-48页 |
| ·材料分子的选择 | 第47-48页 |
| ·薄膜的制备 | 第48页 |
| ·电学性质的测定及存储实验 | 第48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-52页 |
| ·薄膜的形貌 | 第48-49页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第49页 |
| ·信息存储实验及机理解释 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 一种二茂铁基西佛碱在超高密度电学信息存储中的应用研究 | 第54-61页 |
| ·实验部分 | 第54-56页 |
| ·材料分子的选择及合成 | 第54-56页 |
| ·薄膜的制备 | 第56页 |
| ·电学性质的测定及存储实验 | 第56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-58页 |
| ·薄膜的形貌 | 第56-57页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第57页 |
| ·信息存储实验及机理解释 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-61页 |
| 第四章 一种有机分子薄膜的磁电双稳态及其纳米尺度信息存储研究 | 第61-70页 |
| ·实验部分 | 第61-64页 |
| ·材料分子的选择 | 第61-62页 |
| ·薄膜的制备及改善 | 第62-63页 |
| ·电学、磁学性质的测定及存储实验 | 第63-64页 |
| ·双稳态及存储机理探究 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66页 |
| ·实验条件 | 第66-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-71页 |
| 本论文中实验条件的考察及附属性结果 | 第71-76页 |
| 1、成膜方式的选取 | 第71-74页 |
| 2、STM信息存储过程中条件的选取 | 第74-75页 |
| 3、该类化合物薄膜的磁力相 | 第75-76页 |
| 附录 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 发表的学术论文 | 第79页 |
| 作者及导师简介 | 第79-80页 |
| 北京化工大学硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第80-81页 |
