光记录材料与铁电材料的制备与性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·薄膜材料的概述 | 第10页 |
| ·薄膜材料的特征 | 第10-12页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第12-15页 |
| ·物理气相沉积法 | 第12-13页 |
| ·化学气相沉积法 | 第13-14页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法 | 第14页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第14-15页 |
| ·薄膜的应用 | 第15页 |
| ·光存储材料 | 第15-16页 |
| ·光存储材料的发展概况 | 第15-16页 |
| ·本世纪光数字存储展望 | 第16页 |
| ·铁电材料 | 第16-17页 |
| ·选题依据与主要研究内容 | 第17-20页 |
| ·选题依据 | 第17-19页 |
| ·主要研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献: | 第20-21页 |
| 第二章 射频反应磁控溅射及溶胶-凝胶法原理 | 第21-31页 |
| ·射频反应磁控溅射法原理 | 第21-24页 |
| ·射频溅射原理 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射原理 | 第22-23页 |
| ·反应溅射原理 | 第23-24页 |
| ·溅射成膜的特征 | 第24-28页 |
| ·溅射镀膜的特点 | 第24-25页 |
| ·溅射镀膜的成膜机理 | 第25-26页 |
| ·溅射膜的成分与结构 | 第26-28页 |
| ·溶胶-凝胶法成膜的原理 | 第28-30页 |
| ·溶胶-凝胶法的基本原理 | 第28-29页 |
| ·溶胶-凝胶的工艺过程 | 第29-30页 |
| ·溶胶-凝胶的特点 | 第30页 |
| 参考文献: | 第30-31页 |
| 第三章 Cu_3N薄膜及其研究现状 | 第31-39页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·Cu_3N的晶体结构 | 第31-33页 |
| ·Cu_3N薄膜的性质 | 第33-35页 |
| ·Cu_3N薄膜的电学性质 | 第33-34页 |
| ·Cu_3N薄膜的光学性能 | 第34-35页 |
| ·Cu_3N薄膜的热稳定性 | 第35页 |
| ·Cu_3N的硬度和耐腐蚀性 | 第35页 |
| ·氮化铜薄膜的应用前景 | 第35-38页 |
| ·一次性光记录 | 第35-37页 |
| ·微电子工业上的应用 | 第37页 |
| ·其它应用 | 第37-38页 |
| 参考文献: | 第38-39页 |
| 第四章 Cu_3N薄膜的制备及性能研究表征 | 第39-65页 |
| ·射频磁控溅射试验设备 | 第39页 |
| ·样品的表征手段 | 第39-40页 |
| ·不加热衬底上沉积Cu_3N薄膜及研究 | 第40-49页 |
| ·不同溅射气氛 | 第40-41页 |
| ·不同溅射功率 | 第41-45页 |
| ·不同靶基距 | 第45-49页 |
| ·Cu_3N薄膜的掺杂及其研究 | 第49-62页 |
| ·Ti元素掺杂的Cu_3N薄膜 | 第49-53页 |
| ·Ni元素掺杂的Cu_3N薄膜 | 第53-58页 |
| ·Sn元素掺杂的Cu_3N薄膜 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献: | 第63-65页 |
| 第五章 PLT薄膜的制备及初步研究 | 第65-73页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·晶体结构 | 第65-66页 |
| ·PLT的性质及应用 | 第66-67页 |
| ·PLT薄膜的制备及性质初步研究 | 第67-69页 |
| ·PLT溶胶的制备 | 第67-68页 |
| ·PLT薄膜及PLT粉体的制备 | 第68-69页 |
| ·表征方法及结果讨论 | 第69-71页 |
| ·表征方法 | 第69页 |
| ·结果讨论 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第77页 |
