| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 导论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·多孔硅的发展历史和研究进展 | 第11-15页 |
| ·多孔硅的发展历史和物理性能 | 第11-13页 |
| ·PS基光电子器件的研究进展 | 第13-15页 |
| ·发光二极管(LED) | 第13-14页 |
| ·光波导 | 第14页 |
| ·全硅光电集成电路(OEIC) | 第14-15页 |
| ·PS基复合材料的研究进展 | 第15-21页 |
| ·PS基金属复合材料 | 第16-17页 |
| ·PS基半导体复合材料 | 第17-21页 |
| ·氧化锌的物理性能和研究现状 | 第17-20页 |
| ·PS基氧化锌复合材料 | 第20-21页 |
| ·本文开展的主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)的光电特性 | 第23-42页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)的制备 | 第23-24页 |
| ·Si-NPA的表面形貌和结构表征 | 第24-26页 |
| ·Si-NPA的光学性能 | 第26-30页 |
| ·Raman光谱 | 第26-27页 |
| ·近红外-可见-紫外(IR-VIS-UV)吸收光谱 | 第27-28页 |
| ·Si-NPA的光致发光谱 | 第28-29页 |
| ·Si-NPA的电子能带结构 | 第29-30页 |
| ·Si-NPA的电学性能 | 第30-35页 |
| ·制备电极 | 第30页 |
| ·Ag/Si-NPA/Si/Ag的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)关系 | 第30-33页 |
| ·不同温度下的Ag/Si-NPA/Si/Ag的电流-电压关系 | 第33-34页 |
| ·Ag/Si-NPA/Si/Ag的能带结构 | 第34-35页 |
| ·基于Si-NPA模板的金纳米复合结构 | 第35-40页 |
| ·制备过程 | 第35页 |
| ·结构表征 | 第35-38页 |
| ·Au纳米复合结构的生长机理 | 第38页 |
| ·光学性能 | 第38-40页 |
| ·UV-Vis吸收光谱 | 第38-39页 |
| ·Raman光谱 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 Si-NPA基ZnO薄膜的制备和光电性质 | 第42-63页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·ZnO薄膜的制备和条件优化 | 第43-47页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第43-44页 |
| ·不同条件下制备样品的表面形貌 | 第44-47页 |
| ·核壳结构的ZnO/Si-NPA的光电性能 | 第47-56页 |
| ·结构表征 | 第47-50页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第47页 |
| ·ZnO/Si-NPA的SEM结果 | 第47-48页 |
| ·透射电镜(TEM)结果 | 第48-50页 |
| ·ZnO/Si-NPA核壳结构的生长机理 | 第50-52页 |
| ·光学性质 | 第52-56页 |
| ·Raman光谱 | 第52-53页 |
| ·光致发光(PL)特征 | 第53-54页 |
| ·发光机理研究 | 第54-56页 |
| ·生长在Si-NPA上的ZnO厚膜的性质 | 第56-61页 |
| ·结构表征 | 第56-58页 |
| ·XRD表征 | 第56-57页 |
| ·表面形貌 | 第57-58页 |
| ·ZnO/Si-NPA的电学性质 | 第58-61页 |
| ·ZnO薄膜的电阻率测试 | 第58-59页 |
| ·ZnO/Si-NPA/Si的电流-电压关系 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-74页 |
| 附录 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
