| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-21页 |
| ·具有实用意义的硅基异质结构——SiGe/Si异质结构 | 第8页 |
| ·SiGe/Si材料的基本性质以及生长中的问题 | 第8-16页 |
| ·基本性质 | 第8-9页 |
| ·SiGe/Si异质结构外延材料生长 | 第9-16页 |
| ·研究微区中外延生长SiGe/Si异质结构的意义 | 第16-17页 |
| ·本论文主要工作及创新 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 锗硅分子束外技术及SiGe/Si异质结结构的表征技术 | 第21-35页 |
| ·锗硅分子束外技术 | 第21-27页 |
| ·简介及分子束外延设备 | 第21-23页 |
| ·Si,Ge生长速率的定标 | 第23-26页 |
| ·图形衬底片的制备及清洗 | 第26-27页 |
| ·结构的表征技术 | 第27-34页 |
| ·表面形貌测量 | 第27-28页 |
| ·外延层应变测量 | 第28-31页 |
| ·位错的观察和测量 | 第31-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 微区外延生长SiGe/Si异质结的应变,应变驰豫和位错 | 第35-47页 |
| ·前言 | 第35-36页 |
| ·微区生长SiGe/Si异质结的应变,应变弛豫和位错的实验结果 | 第36-39页 |
| ·样品制备及实验方法 | 第36页 |
| ·外延层中应变随窗口尺寸和外延层厚度的关系 | 第36-38页 |
| ·微区生长SiGe/Si异质结构的位错 | 第38-39页 |
| ·实验结果的分析和讨论 | 第39-45页 |
| ·总结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 微区生长SiGe/Si异质结构的形貌和热稳定性研究 | 第47-59页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·微区生长SiGe/Si异质结构中,边缘效应对表面形貌的影响 | 第47-51页 |
| ·样品的制备 | 第47页 |
| ·结果和讨论 | 第47-51页 |
| ·小结 | 第51页 |
| ·微区生长SiGe/Si异质结构的热稳定性研究 | 第51-58页 |
| ·样品的制备和退火实验 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 微区中生长表面纳米结构的研究 | 第59-72页 |
| ·引言 | 第59-61页 |
| ·样品制备 | 第61页 |
| ·结果和讨论 | 第61-69页 |
| ·QDM的形成过程 | 第61-64页 |
| ·微区中生长QDM | 第64-69页 |
| ·总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第六章 微区中生长高质量应变Si层 | 第72-89页 |
| ·简介 | 第72-75页 |
| ·高应变驰豫,低位错密度硅锗合金虚拟衬底的生长 | 第75-78页 |
| ·样品制备及测量方法 | 第75页 |
| ·结果和讨论 | 第75-77页 |
| ·小结 | 第77-78页 |
| ·局域外延方法生长张应变的Si层 | 第78-86页 |
| ·简介 | 第78页 |
| ·样品制备及表征手段 | 第78-79页 |
| ·结果及讨论 | 第79-86页 |
| ·总结 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
