AM-OLED显示驱动芯片内置SRAM的研究与设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| ·课题的来源与意义 | 第9页 |
| ·SRAM 的发展现状及趋势 | 第9-12页 |
| ·论文的主要内容 | 第12页 |
| ·论文的结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 SRAM 存储电路结构及功能 | 第13-22页 |
| ·SRAM 存储电路的基本结构 | 第13-14页 |
| ·SRAM 存储电路的主要组成部分 | 第14-17页 |
| ·存储单元 | 第14-15页 |
| ·地址译码器 | 第15-16页 |
| ·预充电路 | 第16页 |
| ·灵敏放大器 | 第16-17页 |
| ·SRAM 存储电路的高速低功耗设计方法 | 第17-22页 |
| ·降低寄生电容 | 第19-20页 |
| ·降低电源电压及漏电流 | 第20-22页 |
| 第三章 SRAM 总体结构的分析确定 | 第22-27页 |
| ·AM-OLED 显示驱动芯片系统概述 | 第22-24页 |
| ·SRAM 总体结构设计 | 第24-27页 |
| 第四章 SRAM 存储电路的设计 | 第27-49页 |
| ·SRAM 基本单元设计 | 第27-37页 |
| ·基本单元的工作原理 | 第27-28页 |
| ·读操作 | 第27-28页 |
| ·写操作 | 第28页 |
| ·存储单元的噪声容限 | 第28-31页 |
| ·存储单元的设计 | 第31-37页 |
| ·读功能实现 | 第32-33页 |
| ·写功能实现 | 第33-34页 |
| ·单元的噪声容限优化 | 第34-37页 |
| ·SRAM 读写电路的功耗优化 | 第37-41页 |
| ·SRAM 传统读写电路 | 第37-38页 |
| ·SRAM 的低功耗位线结构 | 第38-41页 |
| ·高速低功耗译码器的设计 | 第41-49页 |
| ·用逻辑强度优化路径 | 第41-44页 |
| ·译码电路的设计仿真 | 第44-49页 |
| ·8 位行译码器 | 第44-47页 |
| ·6 位列译码器 | 第47-49页 |
| 第五章 SRAM 外围控制电路的设计 | 第49-60页 |
| ·SRAM 的读写时序 | 第49-51页 |
| ·仲裁器的设计 | 第51-60页 |
| ·仲裁电路 | 第52-53页 |
| ·时序产生电路 | 第53-56页 |
| ·仲裁器的仿真 | 第56-60页 |
| 第六章 总体电路仿真 | 第60-64页 |
| ·SRAM 总体电路 | 第60-61页 |
| ·总体电路仿真 | 第61-64页 |
| 第七章 结论 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
