新型氮化物材料与新结构大功率LED研发
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 序言 | 第11-13页 |
| 第一章 GeCN 材料的实验表征与结构预测 | 第13-28页 |
| 引言 | 第13页 |
| ·实验样品 | 第13-14页 |
| ·SEM形貌分析 | 第14-15页 |
| ·XPS 分析 | 第15-22页 |
| ·理论模型构造 | 第22-26页 |
| ·讨论 | 第26-28页 |
| 第二章 GaN 基 LED 研究背景 | 第28-39页 |
| 引言 | 第28-29页 |
| ·LED 简介 | 第29-32页 |
| ·LED 的概念 | 第29页 |
| ·LED 发光机制 | 第29-31页 |
| ·LED 的发展历程 | 第31-32页 |
| ·LED 的特点与用途 | 第32-33页 |
| ·大功率LED 的发光效率 | 第33-37页 |
| ·发光效率的组成 | 第33-34页 |
| ·提高LED 发光效率的途径 | 第34-37页 |
| ·大功率LED 面临的问题 | 第37-39页 |
| 第三章 大功率 GaN 基半导体 LED 的制备 | 第39-55页 |
| ·GaN 基半导体LED 结构的外延 | 第39-41页 |
| ·芯片制造技术 | 第41-55页 |
| ·版图设计 | 第41-47页 |
| ·LED 制备工艺流程 | 第47-55页 |
| 第四章 LED 性能参数测试与分析 | 第55-67页 |
| 引言 | 第55页 |
| ·表征LED 的性能参数 | 第55-56页 |
| ·LED 外延片测试 | 第56-57页 |
| ·裸片测试 | 第57-60页 |
| ·封装后测试 | 第60-65页 |
| ·光学参数 | 第60-62页 |
| ·电学参数 | 第62-65页 |
| ·改进与提高 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 本人在硕士期间发表的论文 | 第71页 |
