| 摘要 | 第1-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| 1-1 团簇的研究对象 | 第9-10页 |
| 1-2 团簇的主要性质 | 第10-16页 |
| 1-2.1 亚稳态现象 | 第10-11页 |
| 1-2.2 团簇幻数性质 | 第11-15页 |
| 1-2.3 热力学、磁学、光学性质 | 第15-16页 |
| 1-3 团簇的研究方向 | 第16页 |
| 1-4 团簇的研究意义 | 第16-18页 |
| 1-5 硅氧团簇的研究现状 | 第18-21页 |
| 1-5.1 硅氧化物团簇的研究 | 第18-19页 |
| 1-5.2 二氧化硅团簇的研究 | 第19-20页 |
| 1-5.3 二氧化硅纳米管(线)的研究 | 第20-21页 |
| 1-6 课题研究的出发点以及研究内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 SiO_2离子团簇结构和稳定性 | 第25-35页 |
| 2-1 引言 | 第25页 |
| 2-2 团簇结构 | 第25-28页 |
| 2-2.1 三元环构型(3MR) | 第25-26页 |
| 2-2.2 二元环构型(2MR) | 第26-27页 |
| 2-2.3 类笼状构型(CAGE) | 第27-28页 |
| 2-3 结果分析 | 第28-30页 |
| 2-3.1 平均结合能 | 第28-29页 |
| 2-3.2 能隙 | 第29-30页 |
| 2-4 拉普拉斯电荷密度 | 第30-31页 |
| 2-5 三元环结构增长 | 第31-32页 |
| 2-6 幻数团簇 | 第32-33页 |
| 2-7 结论 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 幻数团簇(SiO_2)_8O_2H_4的结构 | 第35-42页 |
| 3-1 引言 | 第35页 |
| 3-2 计算方法介绍 | 第35页 |
| 3-3 硅氧团簇的几何结构设计 | 第35-38页 |
| 3-4 几何性质与电子性质研究结构稳定性 | 第38-40页 |
| 3-4.1 结构相对稳定性 | 第38页 |
| 3-4.2 结合能和能隙 | 第38-39页 |
| 3-4.3 键长和键角分析 | 第39-40页 |
| 3-5 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第四章 幻数团簇(SiO_2)_4O_2H_3~-到(SiO_2)_8O_2H_3~-的增长机制研究 | 第42-55页 |
| 4-1 引言 | 第42-43页 |
| 4-2 增长方式 | 第43-46页 |
| 4-2.1 四面体笼状结构 | 第43-45页 |
| 4-2.2 立方体笼状结构 | 第45-46页 |
| 4-3 理论分析 | 第46-54页 |
| 4-3.1 平均结合能 | 第46-47页 |
| 4-3.2 二阶差分 | 第47-48页 |
| 4-3.3 最高占据轨道分布图 | 第48-50页 |
| 4-3.4 拉普拉斯电荷密度 | 第50-51页 |
| 4-3.5 红外光谱 | 第51-54页 |
| 4-4 结论 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 总结 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |