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直流反应磁控溅射制备氧化铅薄膜

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 文献综述第8-22页
 1.1 引言第8页
 1.2 PbO的基本性质和应用第8-13页
  1.2.1 PbO的晶体结构第8-9页
  1.2.2 PbO的气敏性质第9-10页
  1.2.3 PbO在现代技术中的一些应用第10-13页
   1.2.3.1 一次性光存储第10-11页
   1.2.3.2 铅摄像管第11-12页
   1.2.3.3 X射线成像第12-13页
 1.3 氧化物薄膜制备技术简介第13-20页
  1.3.1 溶胶凝胶(Sol-gel)第13-15页
  1.3.2 喷雾裂解(Spray)第15页
  1.3.3 化学气相沉积(CVD)第15-17页
  1.3.4 激光脉冲沉积(PLD)第17-19页
  1.3.5 磁控溅射第19-20页
 1.4 本文选题角度和研究目的第20-21页
 1.5 本章小结第21-22页
第二章 直流反应磁控溅射的成膜原理与工艺第22-34页
 2.1 引言第22页
 2.2 溅射镀膜原理第22-29页
  2.2.1 真空第22-23页
  2.2.2 辉光放电第23-26页
  2.2.3 溅射现象和机理第26-28页
  2.2.4 溅射粒子成膜过程第28-29页
 2.3 直流反应磁控溅射的基本原理第29-32页
  2.3.1 直流磁控溅射的基本原理第29-31页
   2.3.1.1 电子在正交电场和磁场中的运动第29-30页
   2.3.1.2 磁控溅射的基本原理第30-31页
  2.3.2 直流反应磁控溅射的特点第31-32页
 2.4 磁控溅射系统第32-33页
 2.5 本章小结第33-34页
第三章 直流反应磁控溅射制备 PbO薄膜与性能表征第34-48页
 3.1 引言第34页
 3.2 实验过程第34-36页
  3.2.1 实验设备第34-35页
  3.2.2 实验步骤第35-36页
 3.3 PbO薄膜性能的测试结果与讨论第36-47页
  3.3.1 小角度 XRR的测试第36-39页
   3.3.1.1 小角度 XRR测试原理第36-38页
   3.3.1.2 Ar和O_2流量比对 PbO薄膜生长速率的影响第38-39页
   3.3.1.3 衬底温度对 PbO薄膜生长速率的影响第39页
  3.3.2 XRD测试第39-43页
   3.3.2.1 XRD测试原理第40-41页
   3.3.2.2 Ar和 O_2流量比对 PbO薄膜晶体结构的影响第41-42页
   3.3.2.3 衬底温度对 PbO薄膜晶体结构的影响第42-43页
  3.3.3 UV-VIS测试第43-47页
   3.3.3.1 UV-VIS测试原理第43页
   3.3.3.2 Ar和 O_2流量比对 PbO薄膜 UV-VIS透射谱的影响第43-45页
   3.3.3.3 衬底温度对 PbO薄膜 UV-VIS透射谱的影响第45-47页
 3.4 本章小结第47-48页
第四章 磁控溅射制备 Cd_xPb_(1-x)O薄膜与性能表征第48-60页
 4.1 引言第48页
 4.2 实验过程第48-50页
  4.2.1 实验设计第48-49页
  4.2.2 实验条件第49-50页
 4.3 Cd_xPb_(1-x)O薄膜的测试结果与讨论第50-59页
  4.3.1 XRD测试第50-51页
   4.3.1.1 Cd含量对 Cd_xPb_(1-x)O薄膜晶体结构的影响第50页
   4.3.1.2 衬底温度对 Cd_xPb_(1-x)O薄膜晶体结构的影响第50-51页
  4.3.2 UV-VIS测试第51-55页
   4.3.2.1 Cd含量对 Cd_xPb_(1-x)O薄膜透射光谱的影响第51-53页
   4.3.2.2 衬底温度对 Cd_xPb_(1-x)O薄膜透射光谱的影响第53-55页
  4.3.3 Hall测试第55-59页
   4.3.3.1 Hall测试原理第55-57页
   4.3.3.2 Cd含量对 Cd_xPb_(1-x)O薄膜对电阻率的影响第57-58页
   4.3.3.3 衬底温度对 Cd_xPb_(1-x)O薄膜对电阻率的影响第58-59页
 4.4 本章小结第59-60页
第五章 结论第60-61页
参考文献第61-67页
攻读硕士期间发表的论文第67-68页
致谢第68页

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