| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-29页 |
| ·纳米材料及其特性 | 第10-14页 |
| ·纳米材料结构与特性 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的微结构 | 第11-12页 |
| ·纳米晶体缺陷 | 第12-14页 |
| ·金属氧化物半导体气敏传感器 | 第14-19页 |
| ·金属氧化物半导体气敏特性 | 第14-15页 |
| ·金属氧化物半导体气敏传感器的气敏机理 | 第15-18页 |
| ·氨气敏感传感器和半导体氨敏传感器的研发现状 | 第18-19页 |
| ·In_2O_3基纳米材料及其气敏元件的研究概况 | 第19-24页 |
| ·In_2O_3的性质和结构 | 第19-21页 |
| ·In_2O_3基纳米粉体的制备 | 第21-23页 |
| ·In_2O_3作为气敏材料的应用 | 第23-24页 |
| ·气敏元件的制备及其测试方法 | 第24-27页 |
| ·半导体气敏元件的结构与制备 | 第24-26页 |
| ·气敏元件的特性参数 | 第26-27页 |
| ·测试方法 | 第27页 |
| ·选题依据和研究思想 | 第27-29页 |
| ·选题依据 | 第27-28页 |
| ·研究思想 | 第28-29页 |
| 第二章 实验部分 | 第29-34页 |
| ·主要试剂、仪器和表征方法 | 第29-31页 |
| ·主要实验试剂 | 第29-30页 |
| ·实验设备及测试仪器 | 第30页 |
| ·粉体的表征方法 | 第30-31页 |
| ·In_2O_3基纳米粉体的合成 | 第31-33页 |
| ·尿素-氨水沉淀法 | 第31-32页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第32页 |
| ·超临界干燥技术 | 第32-33页 |
| ·气敏元件的制作和气敏性能的测试 | 第33-34页 |
| ·厚膜型元件的制作方法 | 第33页 |
| ·气敏性能的测试方法 | 第33-34页 |
| 第三章 纯In_2O_3基纳米粉体的合成与表征 | 第34-47页 |
| ·尿素-氨水沉淀法与溶胶-凝胶法制备纳米In_2O_3粉体 | 第34-36页 |
| ·溶胶-凝胶法制备纳米In_2O_3粉体时pH 值的影响 | 第36-40页 |
| ·pH 值对In(OH)颗粒分散性的影响 | 第36-37页 |
| ·pH 值对In_2O_3晶粒尺寸的影响 | 第37-38页 |
| ·纯In_2O_3粉体的红外(IR)分析 | 第38-39页 |
| ·不同pH 值制备的In_2O_3粉体对元件气敏特性的影响 | 第39-40页 |
| ·普通烧结方法和超临界干燥对粉体结构性能的影响 | 第40-45页 |
| ·普通烧结方法和超临界干燥对In_2O_3纳米粉体结构性能的影响 | 第40-42页 |
| ·烧结温度对In_2O_3纳米粉体结构性能的影响 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第四章 掺杂效应 | 第47-68页 |
| ·掺钛In_2O_3纳米材料的制备、结构和气敏特性研究 | 第47-58页 |
| ·掺钛 In_2O_3纳米材料的制备 | 第47-49页 |
| ·XRD 分析 | 第49-50页 |
| ·比表面积测试和磁化率测定 | 第50页 |
| ·红外光谱分析 | 第50-52页 |
| ·表面形貌分析(ESEM) | 第52-56页 |
| ·气敏性能的测试 | 第56-58页 |
| ·其它掺杂In_2O_3纳米材料的气敏特性研究 | 第58-63页 |
| ·V(V)、Cr(VI)、Mo(VI)、W(VI)掺杂粉体的气敏性能 | 第58-60页 |
| ·V(V)、Cr(VI)、Mo(VI)、W(VI)掺杂粉体的红外光谱(IR) | 第60-61页 |
| ·Mo(VI)掺杂的 XRD 和 ESEM | 第61-63页 |
| ·离子掺杂后粉体的气敏特性小结 | 第63-64页 |
| ·In_2O_3基氨气敏感传感器的气敏机理 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
