| 第一章 前言 | 第1-30页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·单晶半导体表面 | 第8-10页 |
| ·Si(100)，C(100)和Ge(100) | 第8-10页 |
| ·Si(111) | 第10页 |
| ·理论计算模型和方法 | 第10-14页 |
| ·Si(100)-2×1和Ge(100)-2×1面理论计算团簇模型 | 第10-13页 |
| ·Si(111)-7×7表面团簇模型 | 第13页 |
| ·理论计算方法 | 第13-14页 |
| ·有机小分子修饰半导体表面的研究 | 第14-20页 |
| ·Si(100) | 第14-19页 |
| ·非芳香有机分子的亲电亲核表面吸附反应 | 第15-16页 |
| ·非芳香有机分子的环化反应 | 第16-18页 |
| ·偶极加成反应 | 第18-19页 |
| ·芳香化合物 | 第19页 |
| ·Si(111)-7×7面 | 第19-20页 |
| ·本论文工作 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-30页 |
| 第二章 氨基乙酸在Si(100)-2×1表面化学吸附的理论研究 | 第30-46页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·结果 | 第30-38页 |
| ·N—H解离反应 | 第30-31页 |
| ·O—H解离反应 | 第31页 |
| ·C=O[2+2]环化反应 | 第31-38页 |
| ·讨论 | 第38-41页 |
| ·产物重排 | 第41-43页 |
| ·结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 甲基硅烷在Si(100)面生长初期机理研究 | 第46-63页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·甲基硅烷在Si(100)表面反应研究进展 | 第47-48页 |
| ·理论计算结果 | 第48-56页 |
| ·解离反应在Si_9H_(12)模型上计算结果 | 第50页 |
| ·解离反应在Si_(15)H_(16)上只有一个二聚体参与反应计算结果 | 第50-54页 |
| ·解离反应在相邻二聚体上反应的计算结果 | 第54-56页 |
| ·讨论 | 第56-58页 |
| ·吸附产物的稳定性 | 第58-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 苯基氰在Si(100)-2×1表面的理论研究 | 第63-80页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·计算结果 | 第64-73页 |
| ·N≡C[2+2]和N≡C—CH=CH_2环化加成反应 | 第64-65页 |
| ·C=C[2+2]环化反应 | 第65-68页 |
| ·C=C[4+2]环化反应 | 第68页 |
| ·C-H解离反应 | 第68-73页 |
| ·吸附反应的选择性和竞争性 | 第73-74页 |
| ·结论 | 第74-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第五章 吡嗪在Si(100)-2×1表面吸附行为的研究 | 第80-95页 |
| ·前言 | 第80页 |
| ·计算结果 | 第80-91页 |
| ·N1=C2[2+2]环化加成反应 | 第81-82页 |
| ·N1=N4[4+2]环化加成反应 | 第82-86页 |
| ·C=C环化反应 | 第86-91页 |
| ·C—H解离反应 | 第91页 |
| ·Bridge和tight-bridge结构的形成 | 第91页 |
| ·讨论 | 第91-92页 |
| ·结论 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 作者简介及发表论文 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
