| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-18页 |
| ·微带铁氧体薄膜环形器的概述 | 第11-14页 |
| ·微带薄膜环形器的研究意义 | 第11-12页 |
| ·微带薄膜环形器的研究现状 | 第12-14页 |
| ·YIG 薄膜制备的概述 | 第14-17页 |
| ·YIG 材料的概况 | 第15页 |
| ·YIG 薄膜的研究意义及背景 | 第15-17页 |
| ·本论文的主要工作及内容安排 | 第17-18页 |
| 第2章 YIG 薄膜的制备方法与性能的表征 | 第18-25页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第18-20页 |
| ·PLD 设备概述 | 第18-19页 |
| ·PLD 技术原理和特点 | 第19-20页 |
| ·分析测试技术 | 第20-25页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第20-22页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| ·原子力显微镜 | 第23-24页 |
| ·振动样品磁强计 | 第24-25页 |
| 第3章 YIG 靶材的制备 | 第25-38页 |
| ·化学共沉淀法 | 第25-34页 |
| ·Fe 离子与 Y 离子的原子个数比对 YIG 生成的影响 | 第26-28页 |
| ·PH 对 YIG 生成的影响 | 第28-29页 |
| ·前躯体的团聚现象 | 第29-30页 |
| ·煅烧温度和时间 | 第30-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| ·固相反应 | 第34-37页 |
| ·总结 | 第37-38页 |
| 第4章 YIG 薄膜的制备 | 第38-63页 |
| ·YIG 薄膜的指标要求 | 第38-39页 |
| ·薄膜制备工艺流程 | 第39-41页 |
| ·基片清洗 | 第39-40页 |
| ·靶材及基片的安装 | 第40页 |
| ·系统抽真空及衬底加热 | 第40-41页 |
| ·沉积薄膜 | 第41页 |
| ·降温至室温并取出 | 第41页 |
| ·退火 | 第41页 |
| ·薄膜制备结果 | 第41-63页 |
| ·Si 表面沉积 YIG 薄膜 | 第41-59页 |
| ·初步研究沉积条件对薄膜生长的影响 | 第42-45页 |
| ·缓冲层的研究 | 第45-58页 |
| ·CeO2/YSZ 薄膜的制备 | 第45-47页 |
| ·在缓冲层的基础上沉积条件对 YIG 薄膜的影响 | 第47-54页 |
| ·缓冲层对裂纹以及结晶性的影响 | 第54-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| ·GGG 表面沉积 YIG 薄膜 | 第59-63页 |
| ·氧压对 YIG 薄膜的影响 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第5章 微带薄膜环形器的仿真 | 第63-72页 |
| ·HFSS 简介 | 第63页 |
| ·微带薄膜环形器的设计 | 第63-67页 |
| ·微带薄膜环形器的仿真 | 第67-71页 |
| ·小结 | 第71-72页 |
| 第6章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 附录 | 第78-79页 |
| 详细摘要 | 第79-82页 |