| 目录 | 第1-9页 |
| 摘要 | 第9-14页 |
| ABSTRACT | 第14-20页 |
| 符号说明 | 第20-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-53页 |
| 第一节 钛酸铋钠基铁电材料 | 第22-27页 |
| ·钛酸铋钠(Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3)结构和相变性质 | 第23-24页 |
| ·钛酸铋钠的铁电、压电和热释电性质 | 第24-26页 |
| ·钛酸铋钠掺杂改性研究的介绍 | 第26-27页 |
| 第二节 铁电薄膜 | 第27-34页 |
| ·铁电体的性质 | 第27-30页 |
| ·铁电体的分类 | 第30-31页 |
| ·铁电薄膜的发展情况 | 第31-32页 |
| ·铁电薄膜的应用 | 第32-33页 |
| ·铁电薄膜制备技术的发展 | 第33-34页 |
| 第三节 铁电存储器和铁电IC卡技术 | 第34-48页 |
| ·2T／2C存储单元的工作原理 | 第35-39页 |
| ·1T／1C存储单元的工作原理 | 第39-42页 |
| ·1T／2C存储单元的工作原理 | 第42页 |
| ·铁电存储器最新产品介绍 | 第42-46页 |
| ·铁电智能卡(FIC卡) | 第46-48页 |
| 第四节 本论文工作的内容和目的 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 第二章 钛酸铋钠基薄膜的制备工艺和分析方法 | 第53-77页 |
| 第一节 金属有机溶液沉积法制备钛酸铋钠基薄膜 | 第54-63页 |
| ·原料的选择 | 第55-56页 |
| ·前驱体溶液的配制 | 第56页 |
| ·衬底的选择及清洗 | 第56-57页 |
| ·钛酸铋钠基薄膜的热分析 | 第57-60页 |
| ·钛酸铋钠基薄膜的MOSD+匀胶法制膜工艺 | 第60-61页 |
| ·钛酸铋钠基薄膜的MOSD+浸渍法制膜工艺 | 第61-63页 |
| ·薄膜制备过程中的化学反应式 | 第63页 |
| 第二节 钛酸铋钠薄膜的厚度和组分分析 | 第63-66页 |
| ·钛酸铋钠薄膜厚度的测量 | 第64-65页 |
| ·钛酸铋钠薄膜组分的测量 | 第65-66页 |
| 第三节 结构分析 | 第66-73页 |
| ·Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3的XRD图谱 | 第67-68页 |
| ·0.87Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.13PbTiO_3的XRD图谱 | 第68-69页 |
| ·0.94Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.06BaTiO_3的XRD图谱 | 第69-70页 |
| ·衬底的作用 | 第70页 |
| ·Dipping方法的作用 | 第70-73页 |
| 第二章小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第三章 钛酸铋钠基薄膜的铁电性 | 第77-101页 |
| 第一节 钛酸铋钠薄膜的电性质 | 第77-81页 |
| ·顶电极 | 第77-78页 |
| ·I-V特性 | 第78-79页 |
| ·介电性质 | 第79-81页 |
| 第二节 钛酸铋钠薄膜的铁电性 | 第81-84页 |
| ·少量含铅的钛酸铋钠薄膜的电滞逥线 | 第82-83页 |
| ·无铅钛酸铋钠薄膜的电滞逥线 | 第83-84页 |
| 第三节 钛酸铋钠薄膜的稳定性 | 第84-88页 |
| ·开关疲劳特性 | 第85-87页 |
| ·时间保持性 | 第87-88页 |
| 第四节 Buffer Layer在铁电存储器中的作用 | 第88-93页 |
| ·Buffer Layer在铁电存储中的作用 | 第88-89页 |
| ·氧化硅Buffer Layer的测量 | 第89-90页 |
| ·MFIS结构中的C-V曲线 | 第90-91页 |
| ·钛酸铋钠薄膜的C-V曲线 | 第91-93页 |
| 第五节 Na_(0.75)Bi_(3.75)Ti_3O_(12)薄膜的存储特性 | 第93-97页 |
| ·钛酸铋掺钠薄膜的结构分析 | 第94-95页 |
| ·钛酸铋掺钠薄膜的C-V曲线 | 第95-97页 |
| 第三章小结 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-101页 |
| 第四章 钛酸铋钠及相关薄膜的刻蚀 | 第101-114页 |
| 第一节 刻蚀的介绍 | 第101-102页 |
| 第二节 钛酸铋钠及相关薄膜的湿刻 | 第102-106页 |
| 第三节 钛酸铋钠及相关薄膜的干刻 | 第106-112页 |
| ·Bi_2Ti_2O_7薄膜的等离子刻蚀 | 第108-110页 |
| ·钛酸铋钠薄膜的等离子刻蚀 | 第110-112页 |
| 第四章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-114页 |
| 第五章 微结构和形貌分析 | 第114-130页 |
| 第一节 原子力显微镜 | 第114-116页 |
| 第二节 原子力显微镜研究薄膜生长及缺陷 | 第116-118页 |
| 第三节 取向薄膜的原子力形貌像 | 第118-119页 |
| 第四节 快速退火对薄膜表面形貌的影响 | 第119-123页 |
| ·钛酸铋钠薄膜形貌的原子力显微像 | 第120-122页 |
| ·Bi_2Ti_2O_7薄膜形貌的原子力显微像 | 第122-123页 |
| 第五节 TiO_2纳米晶的高分辨晶格像 | 第123-127页 |
| 第五章小结 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-130页 |
| 第六章 结论和展望 | 第130-134页 |
| ·论文结论 | 第130-132页 |
| ·本论文的创新点 | 第132-133页 |
| ·需进一步探讨的问题 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 博士期间发表的论文及成果 | 第135-139页 |
