| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-25页 |
| ·InN材料的基本性质 | 第13-14页 |
| ·InN材料的制备 | 第14-15页 |
| ·InN材料的电学特性 | 第15-18页 |
| ·InN材料的光学特性 | 第18-21页 |
| ·InN材料的最新应用 | 第21-22页 |
| ·本论文的内容 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-25页 |
| 第二章 InN纳米线的反常输运 | 第25-39页 |
| ·InN纳米线的反常输运现象 | 第25-27页 |
| ·杂质原子散射模型 | 第27-29页 |
| ·接触电阻R_c | 第29-34页 |
| ·TLM模型 | 第29-32页 |
| ·InN纳米线的L_T及接触电阻 | 第32-34页 |
| ·高浓度的表面电子积累层 | 第34-37页 |
| ·InN材料的独特性质——表面电子积累层 | 第34-36页 |
| ·InN纳米线中的两种传导方式 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 高浓度的表面电子积累层对InN纳米线输运性质的影响 | 第39-47页 |
| ·InN纳米线中的平均载流子浓度 | 第39-40页 |
| ·平均载流子浓度与迁移率的关系 | 第40-41页 |
| ·InN纳米线的电导率与直径的关系 | 第41-42页 |
| ·InN纳米线的总电导与直径的关系 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第50页 |