| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目次 | 第10-12页 |
| 1 引言 | 第12-14页 |
| 2 文献综述 | 第14-28页 |
| ·介电可调薄膜的研究现状 | 第14-19页 |
| ·介电可调薄膜的应用 | 第14-15页 |
| ·高介电可调钛酸锶铅(PST)薄膜的制备与研究 | 第15-16页 |
| ·高介电可调钛酸锶钡(BST)的制备与研究 | 第16-18页 |
| ·低调制电压介电可调元件的发展 | 第18-19页 |
| ·低温诱导制备高性能介电薄膜 | 第19页 |
| ·硅化钛导电纳米线的制备与应用 | 第19-23页 |
| ·基于边缘电场的低电压高可调薄膜的研究现状 | 第23-26页 |
| ·边缘电场的原理 | 第23-24页 |
| ·典型边缘电场电容器结构及应用 | 第24-26页 |
| ·基于边缘电场的低电压高可调薄膜的研究现状 | 第26页 |
| ·本课题研究的目的意义及研究内容 | 第26-28页 |
| 3 实验方法 | 第28-40页 |
| ·实验原料与仪器 | 第28-30页 |
| ·实验原料 | 第28-29页 |
| ·实验设备与仪器 | 第29-30页 |
| ·测试仪器 | 第30页 |
| ·APCVD硅化钛薄膜和纳米线的制备过程 | 第30-34页 |
| ·APCVD硅化钛实验装置 | 第30-32页 |
| ·实验操作 | 第32-34页 |
| ·制备硅化钛薄膜的操作步骤 | 第32-34页 |
| ·制备硅化钛纳米线的操作步骤 | 第34页 |
| ·PST(BST)薄膜样品的制备 | 第34-37页 |
| ·PST(BST)溅射靶材的制备 | 第34-35页 |
| ·PST(BST)薄膜的制备 | 第35-37页 |
| ·测试设备及其原理 | 第37-40页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第37页 |
| ·场发射扫描电镜(FESEM) | 第37-38页 |
| ·薄膜电阻的测定 | 第38页 |
| ·介电性能的测试 | 第38-40页 |
| 4 硅化钛纳米线的制备 | 第40-49页 |
| ·硅化钛薄膜诱导层的制备与性能研究 | 第40-42页 |
| ·硅化钛纳米线的制备 | 第42-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 低温制备低调制电压和高介电可调PST薄膜及其性能研究 | 第49-77页 |
| ·低温制备低调制电压和高介电可调PST薄膜的制备 | 第49-60页 |
| ·基于TiSi纳米线边缘电场的低调制电压和高介电可调PST薄膜的制备 | 第49-52页 |
| ·TiSi纳米线诱导低温制备高性能PST薄膜 | 第52-57页 |
| ·溅射功率下对PST薄膜结晶性能的影响 | 第57-60页 |
| ·低温制备的低调制电压和高介电可调PST薄膜的介电性能 | 第60-76页 |
| ·基于TiSi纳米线边缘电场的低调制电压和高介电可调PST薄膜的介电性能 | 第60-66页 |
| ·TiSi纳米线诱导低温制备高性能PST薄膜的介电性能 | 第66-71页 |
| ·溅射功率对PST薄膜介电性能的影响 | 第71-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 6 低温制备低调制电压和高介电可调BST薄膜及其性能研究 | 第77-93页 |
| ·低温制备低调制电压和高介电可调BST薄膜 | 第77-85页 |
| ·基于TiSi纳米线边缘电场的低调制电压和高介电可调BST薄膜的制备 | 第77-80页 |
| ·TiSi纳米线诱导低温制备高性能BST薄膜 | 第80-83页 |
| ·溅射功率对BST薄膜结晶性能的影响 | 第83-85页 |
| ·低温制备的低调制电压和高介电可调BST薄膜的介电性能 | 第85-92页 |
| ·基于TiSi纳米线边缘电场的低调制电压和高介电可调BST薄膜的介电性能 | 第85-87页 |
| ·TiSi纳米线诱导低温制备高性能BST薄膜的介电性能 | 第87-88页 |
| ·溅射功率对BST薄膜介电性能的影响 | 第88-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 7 结论与展望 | 第93-95页 |
| ·结论 | 第93-94页 |
| ·展望 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-101页 |
| 作者简历 | 第101页 |
| 攻读硕士期间的论文和专利 | 第101页 |
