| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·分子印迹技术的原理和方法 | 第10-12页 |
| ·分子印迹技术的基本原理 | 第10-11页 |
| ·分子印迹技术方法的分类 | 第11-12页 |
| ·分子印迹聚合物的制备 | 第12-15页 |
| ·制备过程 | 第12-14页 |
| ·制备方法 | 第14-15页 |
| ·分子印迹聚合物的特征 | 第15-16页 |
| ·分子印迹聚合物分子识别机理的研究 | 第16页 |
| ·分子印迹技术和分子印迹聚合物的应用 | 第16-19页 |
| ·色谱分离 | 第17页 |
| ·固相萃取( solid-phase extraction，SPE) | 第17页 |
| ·传感器 | 第17-18页 |
| ·药物分析 | 第18页 |
| ·模拟酶催化 | 第18-19页 |
| ·论文研究的背景、意义及内容 | 第19-22页 |
| ·研究背景 | 第19-20页 |
| ·论文研究的目的及意义 | 第20页 |
| ·主要研究内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-27页 |
| 第二章 铀离子印迹聚合物的制备及其吸附性能的研究 | 第27-43页 |
| ·引言 | 第27-29页 |
| ·实验部分 | 第29-31页 |
| ·主要试剂和仪器 | 第29-30页 |
| ·铀（Ⅵ）离子印迹聚合物[U（Ⅵ）-ⅡP]及非离子印迹聚合物(N-ⅡP)的制备 | 第30页 |
| ·吸附量（Q）的测定 | 第30页 |
| ·铀（Ⅵ）标准溶液的配制及其离子浓度的测定 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-40页 |
| ·红外光谱分析 | 第31-32页 |
| ·电镜分析（SEM） | 第32-33页 |
| ·X 射线能谱分析（EDS） | 第33页 |
| ·热分析图谱 | 第33-34页 |
| ·吸附剂用量的影响 | 第34页 |
| ·pH 的影响 | 第34-35页 |
| ·吸附动力学 | 第35-37页 |
| ·吸附等温线 | 第37-39页 |
| ·U（Ⅵ）-ⅡP 的可重复利用性 | 第39页 |
| ·U（Ⅵ）-ⅡP 的选择识别能力 | 第39-40页 |
| ·结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 铯离子印迹聚合物的制备及其吸附性能的研究 | 第43-57页 |
| ·引言 | 第43-45页 |
| ·实验部分 | 第45-47页 |
| ·试剂与仪器 | 第45-46页 |
| ·铯离子印迹聚合物[Cs（Ⅰ）-ⅡP]及非离子印迹聚合物(N-ⅡP)的制备 | 第46页 |
| ·吸附量（Q）的测定 | 第46页 |
| ·铯离子浓度的测定 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-54页 |
| ·红外光谱分析 | 第47页 |
| ·电镜分析（SEM） | 第47-48页 |
| ·X 射线能谱分析（EDS） | 第48页 |
| ·热分析图谱 | 第48-49页 |
| ·吸附剂用量的影响 | 第49页 |
| ·pH 的影响 | 第49-50页 |
| ·吸附动力学 | 第50-52页 |
| ·吸附等温线 | 第52-53页 |
| ·Cs（Ⅰ）-ⅡP 的可重复利用性 | 第53-54页 |
| ·Cs（Ⅰ）-ⅡP 的选择识别能力 | 第54页 |
| ·结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第四章 锶离子印迹聚合物的制备及其吸附性能的研究 | 第57-71页 |
| ·引言 | 第57-59页 |
| ·实验部分 | 第59-61页 |
| ·仪器与试剂 | 第59-60页 |
| ·锶离子印迹聚合物[Sr（Ⅱ）-ⅡP]及非离子印迹聚合物(N-ⅡP)的制备 | 第60页 |
| ·吸附量（Q）的测定 | 第60页 |
| ·锶离子浓度的测定 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-68页 |
| ·红外光谱分析 | 第61页 |
| ·电镜分析（SEM） | 第61-63页 |
| ·热分析图谱 | 第63页 |
| ·吸附剂用量的影响 | 第63页 |
| ·pH 的影响 | 第63-64页 |
| ·吸附动力学 | 第64-66页 |
| ·吸附等温线 | 第66-67页 |
| ·Sr（Ⅱ）-ⅡP 的可重复利用性 | 第67-68页 |
| ·Sr（Ⅱ）-ⅡP 的选择识别能力 | 第68页 |
| ·结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 结论与展望 | 第71-73页 |
| ·结论 | 第71页 |
| ·展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
