| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-19页 |
| ·纳米材料 | 第6-11页 |
| ·纳米材料研究的对象和发展概况 | 第6-7页 |
| ·纳米材料的特性 | 第7-10页 |
| ·纳米材料的应用 | 第10-11页 |
| ·纳米半导体材料 | 第11-13页 |
| ·纳米半导体材料的特性 | 第11-12页 |
| ·纳米半导体材料的应用及研究展望 | 第12-13页 |
| ·CdTe 薄膜材料 | 第13-16页 |
| ·CdTe 薄膜材料研究现状 | 第13-14页 |
| ·CdTe 薄膜的晶体结构及其掺杂研究 | 第14-16页 |
| ·本文研究目的 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 CdTe 纳米薄膜的低温制备和测试方法 | 第19-29页 |
| ·CdTe 纳米晶薄膜的低温制备 | 第19-24页 |
| ·纳米薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·纳米微粒尺寸的评估 | 第20-22页 |
| ·磁控溅射方法制备CdTe 纳米晶薄膜原理 | 第22-23页 |
| ·工艺参数对CdTe 纳米晶薄膜的影响 | 第23-24页 |
| ·测试方法介绍 | 第24-27页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第25页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第25-26页 |
| ·固体紫外—可见光谱分析(UV-VIS) | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 不同衬底上纳米CdTe 薄膜的低温制备及光特性研究 | 第29-43页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·样品制备与测试 | 第30-35页 |
| ·基片的清洗 | 第30-31页 |
| ·CdTe 纳米薄膜样品制备的实验过程 | 第31-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-41页 |
| ·结构分析 | 第35-37页 |
| ·形貌分析 | 第37-39页 |
| ·光学性质讨论 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第四章 Ag离子掺杂对CdTe 纳米晶薄膜的影响 | 第43-53页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·掺杂过程讨论 | 第43-44页 |
| ·离子浸泡法 | 第43-44页 |
| ·浸泡后退火处理 | 第44页 |
| ·实验过程及测试 | 第44-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-51页 |
| ·掺杂薄膜退火前后结构的分析 | 第46-47页 |
| ·掺杂薄膜退火前后表面形貌的分析 | 第47-49页 |
| ·掺杂薄膜退火前后EDS 成分分析 | 第49-50页 |
| ·掺杂薄膜退火前后电学性能分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第53-56页 |
| ·工作总结 | 第53-54页 |
| ·存在的问题 | 第54-55页 |
| ·后继工作展望 | 第55-56页 |
| 附录 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |